沈學礎

1938年徠2月28日，沈學礎出生於江蘇溧陽。

1958年，畢業於復旦大學物理系。

1995年，當選為中國科學院院士。曾任上海大學理學院院長，中國科學院紅外物理國家重點實驗室主任等職。

• 科研綜述

沈學礎從事凝聚態光譜及其實驗方法研究。發展了光學補償雙光束傅里葉變換紅外光譜方法，發現了一定條件下某些固體存在聲學局域模。發展了傅里葉變換光熱電離譜方法，使硅中淺雜質檢測靈敏度有數量級的提高。提出和首次實現了帶間躍遷、激子躍遷誘發並共振增強調製和迴旋共振光譜方法。發展了高壓下調製吸收光譜測量方法。對超晶格、量子阱及其他低維結構、半磁半導體和非晶半導體以及固體中雜質等作了大量光譜研究，尤注重其中量子態躍遷、量子態雜化耦合等微觀量子過程和量子互作用。

沈學礎提出並首先實現光調製共振激發譜、高壓下調製吸收光譜、帶間躍遷增強與誘發迴旋共振，使一些弱固體光譜現象觀測研究成為可能。發現半導體晶體中新一類局域化振動模，發展了固體中雜質振動的理論；發現半磁半導體中d電子和p電子態間雜化，首先測定塞曼雜化態波函數的混和與重組，將固體中微觀雜化混和的實驗與理論研究推進到新高度；最先觀測到和測定了GaAs調製摻雜多層結構的量子化能級，實驗揭示了這種結構確可形成超晶格和量子阱；將硅光熱電離光譜靈敏度提高了1—2個數量級，成為超純材料淺雜質研究檢測的首選方法之一，發現硅中兩個新施主中心和多條與雜質高激發態相關的新譜線。

沈學礎關於InGaAs/GaAs中兩類超晶格電子態共存、nipi結構光生載流子的長壽命、磁場下雜質電子—光學聲子強耦合互作用等發現和研究結果，也有重要意義。因以上成果兩次獲國家自然科學獎，兩次獲中國科學院自然科學一等獎，以及其它多項成果獎勵，此外，沈學礎還在紅外物理國家重點實驗室建設中取得成果，兩次獲國家“金牛獎”。多次獲國家自然科學獎和中國科學院自然科學獎一等獎等。

• 學術論著

沈學礎撰有《半導體光學性質》、《半導體光譜和光學性質》等。發表論文200多篇，並被國外同行廣為引用，包括被編寫入國外20多種專著、手冊、教科書。著有《半導體光學性質》一書，並與其他著者合作，出版著作兩本，編輯會議文集三冊。

沈學礎已培養博士研究生30餘名。

1988年獲“國家有突出貢獻中青年專家”稱號。

上海市高溫超導重點實驗室學術委員會副主任