功率二極體

用於電路的整流、箝位的元件

超快恢復二極體的性能特點類似於快恢復二極體,其主要特點是反向恢復時間極短,通常在幾納秒至幾百納秒,工作頻率可達兆赫水平。 Diode,SBD),簡稱肖特基二極體,是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。當肖特基二極體正偏時,金屬A和N型基片B分別接電源的正、負極,此時勢壘寬度取變窄。而反偏時。

正文


功率二極體是電力電子線路最基本的組成單元,他的單嚮導電性可用於電路的整流、箝位、續流。合理應用功率二極體的性能是電力電子電路的重要內容。這方面的二極體主要包括:1,普通功率二極體,2,快速功率二極體,3,其他功率二極體。功率整流二極體比普通二極體結面積較大,能通過較大電流(可達上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下。功率整流二極體主要用於各種低頻整流電路

分類


1.普通整流二極體
普通整流管的特點是:漏電流小、反向恢復時間較長(可達幾微秒至十微秒)、可獲得很高的電壓和電流定額,但通態壓降較高,可達幾伏。多用於牽引、充電、電鍍等對轉換速度要求不高的裝置中,其工作頻率範圍為幾十至幾百赫。
2.快恢復二極體
快恢復二極體的顯著特點是:較短的反向恢復時間(幾百納秒至幾微秒),其電壓和電流定額也可以做得比較大,但是它的通態壓降也很高,也可達幾伏。快恢復二極體主要用於斬波、逆變、開關變換器等電路中,其工作頻率範圍為幾千赫至幾十千赫。
3.超快恢復二極體
超快恢復二極體的性能特點類似於快恢復二極體,其主要特點是反向恢復時間極短,通常在幾納秒至幾百納秒,工作頻率可達兆赫水平。
4.肖特基二極體
肖特基勢壘二極體(Schottky Barrier Diode,SBD),簡稱肖特基二極體,是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。
肖特基二極體是“金屬半導體結”二極體,其金屬層材料可以採用鋁、金、鉬、鎳、鈦等,半導體材料採用硅或砷化鎵;多為N型半導體。肖特基二極體是以金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導體B為負極,利用兩者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬一半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子,而金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。
顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A,表面電中性被破壞,於是就形成勢壘,其電場方向為B—A。但在該電場作用之下,A中的電子也會產生從A—B的漂移運動,從而削弱了由於擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后,電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡,便形成了肖特基勢壘。
當肖特基二極體正偏時,金屬A和N型基片B分別接電源的正、負極,此時勢壘寬度取變窄。而反偏時。勢壘寬度就增加。肖特基二極體是由多數載流子導電,僅用一種載流子(電子)輸送電流。屬於單極性器件,不存在少數載流子的貯存效應,所以其反向恢復時間極短,可以小到幾納秒,工作頻率最高可達
100GHz。肖特基功率二極體的特點的額定電流可達到幾百,乃至幾千安培;小功率肖特基二極體的正嚮導通壓降僅0.4V左右,但隨著額定電壓和電流的提高,正向壓降也會相應增加,可高達IV左右;肖特基二極體的反向耐壓值較低,一般不超過200V,據報道目前最高可做到1000V。所以,肖特基二極體適宜在低壓、大電流情況下工作。