Webster效應

（1）基本概念：

BJT在大注入工作時，另外還容易出現的效應是發射極電流集邊效應和Kirk效應（基區展寬效應）。

（2）產生機理：

例如，對n-p-n晶體管，當發射結電壓較大、往基區大量地注入少數載流子——電子時，相應地基區中也有大量的多數載流子——空穴的積累 (並維持與電子有相同的濃度梯度), 這就相當於增加了基區的摻雜濃度, 使得基區的電阻率下降，這就是威布斯特效應。若原來p型基區的電阻率為ρo ≈ 1/(q μp Nb) ，大注入時基區中的空穴濃度將為pp = Nb + Δp = Nb + Δn，則電阻率變為ρ = 1/[q μp (Nb+Δn)] = ρo Nb/(Nb+Δn)。

（3）對器件性能的影響：

這種大注入使基區電阻率降低（注入越大, 降低得越多）的現象，就直接減小了發射結注入效率，使電流放大係數降低。

Webster effect 效應對大電流狀態下工作的均勻基區晶體管（例如合金晶體管）而言，影響特別嚴重，這往往就是引起其大電流βo下降的主要原因。

但是，對於非均勻基區晶體管（例如Si平面雙擴散晶體管）而言，在大電流時βo的下降，Webster effect效應可能不是主要原因，這時更加主要的可能是Kirk效應。

當BJT工作時出現發射極電流集邊效應時，將會加劇Webster effect效應和Kirk效應。