半導體學報

《半導體學報》是中國電子學會和中國科學院半導體研究所主辦的學術刊物。它報道半導體物理學、半導體科學技術和相關科學技術領域內最新的科研成果和技術進展，內容包括半導體超晶格和微結構物理，半導體材料物理，包括量子點和量子線等材料在內的新型半導體材料的生長及性質測試，半導體器件物理，新型半導體器件，集成電路的CAD設計和研製，新工藝，半導體光電子器件和光電集成，與半導體器件相關的薄膜生長工藝，性質和應用等等。本刊與物理類期刊和電子類期刊不同，是以半導體和相關材料為中心的，從物理，材料，器件到應用的，從研究到技術開發的，跨越物理和信息兩個學科的綜合性學術刊物。《半導體學報》發表中、英文稿件。《半導體學報》被世界四大檢索系統（美國工程索引(EI)，化學文摘(CA)，英國科學文摘(SA)，俄羅斯文摘雜誌(РЖ)）收錄。

《半導體學報》1980年創刊。現為月刊，每期190頁左右，國內外公開發行。每期均有英文目次，每篇中文論文均有英文摘要。《半導體學報》主編為王守武院士。主要讀者對象是從事半導體科學研究、技術開發、生產及相關學科的科技人員、管理人員和大專院校的師生。

開本：大16開

期刊級別：08版北大核心

該刊被以下資料庫收錄：

CA 化學文摘（美）（2009）

SA 科學文摘（英）（2009）

CBST 科學技術文獻速報（日）（2009）

Pж（AJ）文摘雜誌（俄）（2009）

EI 工程索引（美）（2009）

中國科學引文資料庫（CSCD—2008）

核心期刊：

中文核心期刊（2008）

中文核心期刊（2004）

中文核心期刊（2000）

中文核心期刊（1996）

中文核心期刊（1992)

《半導體學報》獲獎情況：中科院優秀期刊二等獎（90）、全國優秀期刊三等獎（92）、全國優秀期刊三等獎（97）；

編委會第11屆編輯委員會名單(2011-2015)主編Li Shushen (李樹深)副主編 Wang Zhiming (王志明)委員Z I Alferov (Russia)F Balestra (France)Ban Shiliang (班士良)J C Bourgoin (France)Cai Yici (蔡懿慈)Chen Hongyi (陳弘毅)Chen Zhiming (陳治明)Chiu Tzuyin (邱慈雲)A Y Cho (USA)Dai Lun (戴倫)Deng Hangjun (鄧航軍)Du Guotong (杜國同)Feng Songlin (封松林)Gong Min (龔敏)Guo Liwei (郭麗偉)Guo-Qiang Hai (Brazil)Sui-Kong Hark (Hong Kong, China)Hao Yue (郝躍)He Deyan (賀德衍)He Lixin (何力新)M Henini (UK)Huang Qing’an (黃慶安)Huang Ru (黃如)Quanxi JIA (USA)Jiang Fengyi (江風益)Jie Binbin (揭斌斌)Jin Zhi (金智)Li Jinmin (李晉閩)M F Li (Singapore)Lin Yuan (林媛)Juin J Liou (USA)Liu Xiaoyan (劉曉彥)Lu Fang (陸昉)Lu Wei (陸衛)Luo Yi (羅毅)Vojin G. Oklobdzija (USA)Carlos A. Paz de Araujo (USA)Qi Ming (齊鳴)Qian He (錢鶴)Qian Peixin (錢佩信)Ren Junyan (任俊彥)Ren Xiaomin (任曉敏)Chihtang Sah (薩支唐)Harald Schneider (Germany)Shan Chongxin (單崇新)Shao Zhibiao (邵志標)Shen Wenzhong (沈文忠)Aimin Song (UK)Greg Sun (USA)S M Sze (Taiwan, China)K L Wang (USA)Lin-Wang Wang (USA)Suhuai Wei (USA)Xu Ningsheng (許寧生)Yang Deren (楊德仁)Rui Q. Yang (USA)Ye Zhizhen (葉志鎮)Yu Hong Yu (Singapore)Zhang Guoyi (張國義)Zhang Pengfei (張鵬飛)Zhang Rong (張榮)Zhang Xing (張興)Zhang Yimen (張義門)Zhang Yuming (張玉明)Zhang Wanrong (張萬榮)Zhao Zhengping (趙正平)Zhou Yumei (周玉梅)編輯部主任：李樹深編輯部副主任：鄧航軍 成員：李樹深，鄧航軍，王琳，金瑞琴

《半導體學報》是中國電子學會和中國科學院半導體研究所共同主辦的國家一級刊物（月刊，國內外公開發行），被EI、CA、SA、AJ等收錄，主要報道半導體物理、材料、器件、集成電路、工藝等領域的最新科研成果。

1 總則

請遵守學術規範和準則，勿一稿多投，在稿件中勿出現抄襲、剽竊他人成果的內容。作者向《半導體學報》投稿，意味著在稿件被錄用後作者同意把該文的版權（含光碟、網路等各種介質）轉讓給《半導體學報》編輯部。稿件必須用英文撰寫，用A4紙單欄、隔行排版，字型大小不小於五號字。如果文章需要快速發表，需和編輯部聯繫並說明理由。

2 來稿要求

稿件應觀點明確，數據可靠，言簡意賅，重點突出。與本文內容類似或密切相關的已發表論文，應列入參考文獻，以示尊重。

2.1 題目、作者、單位和摘要

題目應簡潔、準確，不宜太長，題目不宜超過10個實詞。文章的作者署名在投稿時應明確，以後不宜更改。作者單位需寫出全稱、所在城市和郵政編碼。摘要應語義確切，表述簡明，宜用第三人稱寫明論文的目的、方法、結果和結論。文後需附中文題目、作者、單位、摘要和關鍵詞。

2.2 關鍵詞、PACC或EEACC

應給出反映文章特徵內容，通用性比較強的關鍵詞3～6個；PACC或EEACC專業代碼1～3個。

2.3 基金及其批准號

若文章得到省、部級以上基金資助，應給出基金的全稱及其批准號。

2.4 縮略詞、符號及計量單位

摘要和正文中的縮略詞在第一次出現時都必須寫出全稱。外文字母、符號必須分清大小寫，正、斜體，上、下角。計量單位請用國家法定計量單位，全文文種要始終一致。

2.5 圖、照片、表

圖和照片按出現先後順序編號，圖的寬度一般不超過8cm，圖框宜細，刻度向里，曲線略粗，墨色要黑，線條要勻，圖中文字應與正文一致。照片要求黑白反差大，層次清晰。表格應簡潔、明確，宜用三線表。

正式排版時將直接採用作者提供的圖，因此需要作者提供高質量的圖。在圖被縮小至半欄或通欄尺寸時，圖中的文字和線條必須保持清晰，文字大小合適（6號字），坐標刻度疏密適中。

在電子版中可免費使用彩色圖或照片，如果在印刷版中使用彩色圖或照片，每頁需附1200元費用。

2.6 參考文獻

參考文獻按在正文中出現的順序編號，用方括弧括住置引文處右上角，並與文末參考文獻序碼對應一致。請勿引用尚未公開發表的資料，中文參考文獻需翻譯成相應的英譯。參考文獻著錄項目應齊全。

期刊的格式為：作者（列前三名）. 題目. 刊名, 年份, 卷（期）：頁碼

例：Zhang Heqiu, Mao Lingfeng, Xu Mingzhen, et al. Effect of neutral traps on tunneling current and SILC in ultrathin oxide layer. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(4):367

書籍的格式為：作者（列前三名）. 書名. 出版地：出版社, 年份

例：Schroder D K. Semiconductor material and device characterization. New York: John Wiley & Sons, 1990

3 評審

來稿將送有關專家審閱。審稿周期大約為45天。作者在收到修改意見后，須在3周內修改完成。刊登與否由編委最後審定。不擬刊登之稿，會儘快函告作者。

4 投稿

請登錄《半導體學報》網站投稿，不接收Email或郵寄投稿。有關稿件狀況可在網上查詢。接收LaTeX文件，在稿件被錄用后如果能提供LaTeX源文件將有助於文章的快速發表。

1. 半導體學報自2009年起設半導體物理、半導體材料、半導體器件、半導體集成電路、半導體工藝等欄目。

2. IC，特別是VLSI，已經是一個系統或子系統，覆蓋廣泛的學科跨度，包括：（1）演演算法、軟/硬體協同、模塊結構、邏輯網表；（2）電路結構、物理布圖、器件性能、工藝實現。其中（1）的內容與半導體的學科距離較大，相關論文我們不接收。

電路設計包括射頻、模擬、數字電路。相關論文應為基於晶體管級的設計，其創新點應以電路理論的分析作為依據。這樣的論文比較符合我刊的學術方向。如果只是提出一個電路結構，做了一下模擬驗證，就很難體現論文的學術內涵。

如果說有關模擬、數字電路設計的文章尚可以不要求工藝實現的話，而有關射頻的電路設計則一定要有工藝實測，這是因為：（1）射頻電路受寄生參數影響很大，（2）有關射頻的EDA工具尚不及模擬的成熟，更不及數字的成熟。

3. 對於“集成電路”類稿件應該有與半導體相關方面的內容，如IC電路設計論述中包含的所用器件新設計、結構、設計參數優化、參數提取方法；IC設計中器件物理效應利用、處理或引伸；版圖設計特色及優化等，如果僅僅是單純電路、系統本身改進或是電路理論、電路演演算法等處理，而文中只是掛了“集成電路”之名的論文應改投其他更合適的刊物（如電子學報、電路與系統學報等期刊）。另外，VLSI設計和SOC設計應是以晶元為主或與晶元有關，例如晶元的物理參數對電路性能的影響。

4. 半導體學報上的文章基本上全部被EI收入，但是個別摘要特別簡單的文章可能不會被收入。因此，為了你的文章被檢索機構收入，請把中英文摘要寫得詳細一些，詳細寫明文章的目的、方法、結果和結論。

5. 在文章正式發表前半個月，編輯部會把文章清樣的電子版發給作者校對，請作者務必認真校對並把需修改的地方告知編輯部（因為這是清樣，不宜作大的修改），否則出現問題，編輯部不再負責。

6. 為了方便聯繫，作者的Email、電話、通信地址等有變化時，請及時到網站上更新。

7. 半導體所的作者投稿時，請到財務處辦理審稿費的轉賬手續（填藍色報銷單），同時填寫下面的回執並請財務處蓋章，把蓋好章的回執交編輯部作為已交審稿費的憑證。