惠峰

作為重大項目負責人，帶領課題組先後完成了國家“八。五”、“九。五”重點科技攻關、“十。五”國家八六三計劃重大項目，北京市重大科技項目等10多項科研和產業化任務，解決了晶體生長中熱場設計、提高單晶率；優化晶體生長和晶片加工工藝條件及批量生長的重複性等一系列關鍵工藝技術，多次獲得中科院科技進步二、三等獎；實用化生產高質量的砷化鎵、磷化銦及鍺單晶，達到當代國際同類商品先進水平。用這些材料研製的砷化鎵、磷化銦及鍺器件和電路廣泛應用於國防軍工工程。於1988年、 1993年、 1997年分別破格聘任為助理研究員、副研究員、研究員。任中國科學院半導體研究所學術委員會委員，SEMI中國標準委會材料分會委員，中國電子材料行業協會委員；1993年12月獲中國科學院優秀青年，2000年獲得國務院頒發的政府特殊津貼。

2002年-2005年任中科鎵英半導體有限公司總經理助理，籌建投資1.5億元砷化鎵單晶產業化建設項目，負責從可行性研究報告、初步設計、施工圖到工程建設生產線總體工藝設計及生產線設備安裝調試、試生產。建成擁有自主知識產權具有國際先進水平砷化鎵單晶產業化平台，產品80%出口國際市場。

2007年—至今，擔任雲南中科鑫圓晶體材料有限公司總經理。已研製出Φ3英寸、Φ4英寸太陽能鍺單晶送國內權威檢測機構--信息產業部專用材料質量監督檢測中心檢測，檢測的參數指標達到國防客戶要求指標和美國AXT公司指標。研究高平整度超薄鍺片線切割和研磨技術, 研究高平整度超薄鍺片化學機械拋光-單面化學拋光工藝技術，研究高清潔度鍺拋光晶片清洗封裝技術。實現了開盒即用鍺晶片切磨拋關鍵工藝技術突破，達到國內外客戶要求，為VGF法鍺單晶及開盒即用鍺晶片大規模產業化奠定了堅實的基礎。