張國義

長期從事半導體物理與器件物理，半導體光電子學，MOCVD生長技術的研究。自1993年至今，一直從事III-V氮化物寬禁帶半導體材料的製備、器件的研製和物理性能的研究。申請國家發明專利20多項，發表論文100多篇。作為會議主席，在1998年和2001年兩次在中國主持召開了國際III-V氮化物半導體專題研討會，多次作為（氮化物半導體相關的）重大國際會議委員會委員，參加國際學術交流。

作為第一發明人，曾獲得國家發明四等獎，國家教委科技進步二等獎等獎勵。先後在美國，日本，澳大利亞，比利時開展合作研究。“九五”期間，作為國家“863”計劃信息光電子主題專家組成員，“十五”期間，作為國家半導體照明工程專家組成員，中國LED行業協會顧問專家，國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事，努力為我國的LED照明光源的革命做出貢獻。