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半導體器件物理
半導體器件物理
《半導體器件物理》是2008年西安交通大學出版社出版的圖書，作者是(美)施敏(S. M. Sze)、(美)伍國珏(Kwok K. Ng)。
本書首先介紹了學習半導體器件必需的半導體材料和半導體物理的基本知識；然後重點論述了PN結、雙極性三極體、MOS場效應管和結型場效應管的各項性能指標參數及其與半導體材料參數、工藝參數及器件幾何結構參數的關係：最後簡要講述了常用的一些其他半導體器件(如功率MOSFET、IGBT和光電器件)的原理及應用。
★內容選擇適合高職要求，針對性強。
★文字淺顯，圖例豐富，可讀性強。
★結合製造工藝、版圖設計內容，各章配置實驗，實踐性強。
第1章 半導體特性
1．1 半導體的晶體結構
1．2 半導體中的電子狀態
1．3 雜質和缺陷
1．5 非平衡載流子
1．6 載流子的運動
實驗一 晶體缺陷的觀測
實驗二 少數載流子壽命的測量
思考題與習題
第2章 PN結
2．1 平衡PN結
2．2 PN結的直流特性
2．3 PN結電容
2．4 PN結的擊穿特性
2．5二極體的開關作用和反向恢復時間
實驗三 PN結伏安特性與溫度效應
實驗四 PN結勢壘電容的測量
思考題與習題
第3章 半導體的表面特性
3.1半導體表面與Si-SiO2系統
3.2 表面空間電荷區與表面勢
3.3 MOS結構的閾值電壓
3.4 MOS結構的C-V特性
3.5 金屬與半導體接觸
實驗五 MOS電容的測量
實驗六 SBD（肖特基）二極體伏安特性的測量
思考題與習題
第4章 雙極型晶體管及其特性
4．1晶體管結構與工作原理
4．2晶體管的直流特性
4．3晶體管的頻率特性
4．4晶體管的功率特性
4．5晶體管的開關特性
4．6晶體管的版圖和工藝流程
實驗七 圖示儀測試晶體管的特性曲線
實驗八 晶體管直流參數的測量
思考題與習題
第5章 MOS場效應晶體管
5.1 MOS晶體管的結構與分類
5.2 MOS晶體管的閾值電壓
5.3 MOS晶體管輸出伏安特性與直流參數
5.4 MOS晶體管頻率特性與交流小信號參數
5.5 MOS晶體管版圖及其結構特徵
5.6小尺寸集成MOS晶體管的幾個效應
實驗九 MOS晶體管閾值電壓VT的測量
實驗十 MOS晶體管輸出伏安特性曲線的測量
思考題與習題
第6章 其他常用半導體器件簡介
6.1 達林頓晶體管
6.2 功率MOS晶體管
6.3 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
6.4發光二極體（LED）
6.5太陽能電池
思考題與習題
附錄 XJ4810型半導體管特性圖示儀面板功能
參考文獻
半導體器件物理
出版社：西安交通大學出版社
ISBN： 978-7-5605-2596-9
頁碼：598頁 26cm
裝幀：平裝
開本：16
出版日期：2008年
定價：CNY76.00
《半導體器件物理》由淺入深、系統地介紹了常用半導體器件的工作原理和工作特性。
為便於讀者自學和參考，《半導體器件物理》首先介紹了學習半導體器件必需的半導體材料和半導體物理的基本知識；然後重點論述了PN結、雙極性三極體、MOS場效應管和結型場效應管的各項性能指標參數及其與半導體材料參數、工藝參數及器件幾何結構參數的關係：最後簡要講述了常用的一些其他半導體器件(如功率MOSFET、IGBT和光電器件)的原理及應用。
第1章 半導體物理基礎
第2章 PN結
第3章 雙極型晶體管
第4章 MOS場效應晶體管
第5章 結型場效應晶體管及金屬-半導體場效應晶體管
第6章 其他常用半導體器件
附錄
參考文獻
