隔離柵晶體管

隔離柵晶體管

隔離柵晶體管,又稱電導調製場效應晶體管(即COMFET),一種功率場效應晶體管與雙極型功率晶體管的複合器件。

目錄

正文


一種功率場效應晶體管與雙極型功率晶體管的複合器件。又稱電導調製場效應晶體管(即COMFET)。圖1是其等效圖和電路符號。IGT是功率集成器件,元件內含IGT單元數百至數千個,集成密度及製作難度在功率場效應晶體管(功率MOSFET)與雙極型功率晶體管(GTR)之間。
IGT 管心的部分剖面結構(圖2)顯示,IGT 由功率場效應晶體管(Ⅰ)與雙極型功率晶體管(Ⅱ)兩個部分組成。
隔離柵晶體管
隔離柵晶體管
器件的輸入部分為場效應管,輸出部分則為雙極型管,其中場效應管的輸出電流作為雙極型管的輸入電流。因此,IGT結合了場效應管和雙極型管兩者的優點:電壓型驅動,導通電流密度大,飽和壓降低,耐壓易提高(與雙極型相同),是一種性能較完善的器件。
80年代中期,IGT的容量(已有15A/600V的器件)與功率MOSFET差不多。在90年代有希望達到80年代中期GTR的水平,其開關頻率則不會超過 GTR。用在100kHz以下、10kW以內的電力電子裝置中,IGT既比功率MOSFET的效率高,又比GTR的驅動線路簡單。IGT做成模塊及組件後會更有利於應用。