DRAM模塊

般計算系統隨存取存()態()靜態隨存取存(SRAM)兩種，差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維繫數據保存，SRAM的數據則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。

態構靜態(隨存儲器)區，存儲矩陣采態存儲單元。靜態觸器靠狀態反饋自鎖保存數據，動態存儲單元則是通過在電容上存儲電荷保存數據。

態存儲單元構各型式，簡單圖示單管態存儲單元。

在寫入數據時字線給出高電平，MOS管VT導通，位線上的電壓信號經VT向電容C充電，將數據存入C中。讀出時字線同樣給出高電平，使VT導通，電容C經VT向位線上的寄生電容CB充電，使位線獲得讀出信號。

動態存儲單元的電路結構簡單，集成度比靜態RAM高得多。但是，電容C上的電荷不可能長久保存，要及時向電容補充電荷，以免數據丟失。為此，在動態RAM中設置了“刷新”控制電路，用於周期性地將存儲矩陣里的數據讀出，經過放大后重新寫入。這不僅增加了控制電路的複雜性，也嚴重地影響了讀/寫速度，使動態RAM的工作速度遠低於靜態RAM。