高純鎵

高純鎵;high purity gallium

一般雜質總含量在10-5以下的金屬鎵。按鎵含量分為5N，6N，7N和8N共四種級別。質軟，淡藍色光澤。熔點29.78℃。沸點2403℃。斜方晶型，各向異性顯著。0℃的電阻率沿a，b，c三個軸分別為1.75×10-6Ω·m，8.20×10-6Ω·m和55.30×10-6Ω·m。超純鎵剩餘電阻率比值ρ300K/ρ4.2K為55 000。採用化學處理、電解精鍊、真空蒸餾、區域熔煉、拉單晶等多種工藝方法製備。主要用於電子工業和通訊領域，是製取各種鎵化合物半導體的原料，硅、鍺半導體的摻雜劑，核反應堆的熱交換介質。