遷移率

遷移率是單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。遷移率代表了載流子導電能力的大小，它和載流子（電子或空穴）濃度決定了半導體的電導率。遷移率與載流子的有效質量和散射概率成反比。載流子的有效質量與材料有關，不同的半導體中電子有不同的有效質量。如硅中電子的有效質量為0.5m（m是自由電子質量），砷化鎵中電子的有效質量為0.07m。空穴分重空穴和輕空穴，它們具有與電子不同的有效質量。半導體中載流子在低溫下主要受到缺陷和雜質的散射，高溫下主要受到由原子晶格振動產生的聲子的散射。散射越強，遷移率越低。

普通半導體材料的遷移率通常為10—10厘米/伏·秒。通過調製摻雜技術製造的調製摻雜異質結遷移率可達到10厘米/伏·秒以上。遷移率是表徵半導體的一個重要參數。遷移率越大，器件的運行速度越快，截止頻率就越高。砷化鎵的電子有效質量比硅的小得多，因此砷化鎵被用來製作高頻器件。

溶液中帶電粒子在電場E中向著相異電荷的電極移動，它的移動速度V是電場E和粒子的有效遷移率m的乘積，即V=mE，由此導出有效遷移率m=V/E。