F-RAM

F-RAM晶元包含一個鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜，通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性，從而產生一個二進位開關。與RAM器件不同，F-RAM在電源被關閉或中斷時，由於PZT晶體保持極性能保留其數據記憶。這種獨特的性質讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。

F-RAM、ROM都屬於非易失性存儲器，在掉電情況下數據不會丟失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可編程只讀存儲器）和Flash存儲器，可以被擦除，並多次重複編程，但它們需要高電壓寫入且寫入速度非常慢。基於ROM技術的存儲器讀寫周期有限（僅為1E5次），使它們不適合高耐性工業應用。

F-RAM比一般串口EEPROM器件有超過10,000倍的耐性，低於3,000倍的功耗和將近500倍的寫入速度。

F-RAM結合了RAM和ROM的優勢，與傳統的非易失存儲器相比，具有高速、低功耗、長壽命的特點。