F-RAM

F-RAM

鐵電隨機存儲器(F-RAM),相對於其它類型的半導體技術而言,鐵電隨機存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態隨機存取存儲器SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易於使用,高性能,但它們有著共同的弱點:在掉電的情況下會失去所保存的數據。

結構


F-RAM晶元包含一個鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜,通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性,從而產生一個二進位開關。與RAM器件不同,F-RAM在電源被關閉或中斷時,由於PZT晶體保持極性能保留其數據記憶。這種獨特的性質讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。

特點


F-RAM、ROM都屬於非易失性存儲器,在掉電情況下數據不會丟失。新一代ROM,像EEPROM(可擦可編程只讀存儲器)和Flash存儲器,可以被擦除,並多次重複編程,但它們需要高電壓寫入且寫入速度非常慢。基於ROM技術的存儲器讀寫周期有限(僅為1E5次),使它們不適合高耐性工業應用。
F-RAM比一般串口EEPROM器件有超過10,000倍的耐性,低於3,000倍的功耗和將近500倍的寫入速度。
F-RAM結合了RAM和ROM的優勢,與傳統的非易失存儲器相比,具有高速、低功耗、長壽命的特點。