刷新周期
刷新周期
（計算機組成原理概念）
由於DRAM的存儲位元是基於電容器的電荷量存儲，這個電荷量會隨著時間和溫度而減少，因此必須定期的刷新，以保持它們原來記憶的正確信息。對DRAM的所有存儲單元恢復一次原狀態的時間間隔，叫做刷新周期。
DRAM的刷新方式有三種：集中式刷新、分散式刷新、非同步式刷新。
對DRAM的所有存儲單元恢復一次原狀態的時間間隔，叫做刷新周期。
例如：DRAM每隔 T ms對所有行進行一次刷新操作，那麼這個DRAM的刷新周期就是 T ms
由於DRAM的存儲位元是基於電容器的電荷量存儲，這個電荷量會隨著時間和溫度而減少，因此必須定期的刷新，以保持它們原來記憶的正確信息。
典型標準是每隔8ms到16ms必須刷新一次，而某些器件的刷新周期可以大於100ms。
（1）集中式刷新
指在規定的一個刷新周期內，對所有存儲單元集中一段時間逐行進行刷新。（一般是刷新周期的最後一段時間）
例如：對64*64的矩陣刷新，存取周期是0.5us，刷新周期為2ms（佔4000個存取周期）。
則集中刷新共需0.5*64=32us（佔64個存取周期），在這段時間內存只用來刷新，阻塞一切存取操作，其餘3968個存取周期用來讀/寫或維持信息。
這64個存取周期稱為“死時間”，所佔的比率64/4000*100%=1.6%稱為死時間率。
這種方式的優點是速度高，缺點是死時間長。
（2）分散式刷新
指對每行存儲單元的刷新分散到每個存取周期內完成。其中，把機器的存取周期分成兩段，前半段用來讀/寫或維持信息，後半段用來刷新。
例如：對64*64的矩陣刷新，存取周期是0.5us，則讀寫周為0.5us。
刷新周期為：64*1us=64us。<2ms ，在2ms丟失電荷前就會及時補充。
優點是沒有死時間了，缺點是速度慢。
（3）非同步式刷新
指不規定一個固定的刷新周期，將每一行分來來看，只要在2ms內對這一行刷新一遍就行。
例如：對64*64的矩陣刷新，存取周期為0.5us。
要使每行能在2ms內刷新一次，即每隔（2ms/64us）刷新一行，也就是對這一行來說，下一次對它進行刷新的間隔，期間要經過64次內存刷新周期才又輪得到它。
每行刷新的時間仍為0.5us，刷新一行只停止一個存取周期，但對每行來說，刷新間隔在2ms以內，死時間縮短為0.5us。