氧化鈹陶瓷

beryllia ceramics

以氧化鈹為主要成分的陶瓷。純氧化鈹(BeO)屬立方晶系。密度3.03g/cm3。熔點2570℃。具有很高的導熱性，幾乎與純鋁相等，導熱係數λBeO2.3J/(cm·s·℃)[0.55cal/(cm·s·℃)]。還有很好的抗熱震性。其介電常數6～7。介質損耗角正切值約為4×10-4。最大缺點是粉末有劇毒性，且使接觸傷口難於癒合。以氧化鈹粉末為原料加入氧化鋁等配料經高溫燒結而成。製造這種陶瓷需要良好的防護措施。氧化鈹在含有水氣的高溫介質中，揮發性會提高，1000℃開始揮發，並隨溫度升高揮發量增大，這就給生產帶來困難，有些國家已不生產。但製品性能優異，雖價格較高，仍有相當大的需求量。用作大規模集成電路基板，大功率氣體激光管，晶體管的散熱片外殼，微波輸出窗和中子減速劑等材料。

基本信息

出版社: 冶金工業出版社; 第1版 (2006年5月1日)

叢書名: 21世紀新材料科學與技術叢書

平裝: 229頁

開本: 32開

ISBN: 9787502439675, 7502439676

條形碼: 9787502439675

產品尺寸及重量: 20.3 x 14 x 1 cm ; 222 g

ASIN: B00114JNUC

內容簡介

本書綜合介紹了有關氧化鈹陶瓷製造的原料、配方和工藝，以及國內外氧化鈹陶瓷主要生產廠家（公司）產品的性能和應用狀況，一併進行了比較和分析。特別是對氧化鈹陶瓷的金屬化技術以及各工序引起的毒性和防護進行了系統的敘述。此外，還對氧化鈹陶瓷的質量和可靠性進行了評估。

目錄

1 概述

1.1氧化鈹陶瓷與傳統陶瓷的差異

1.2氧化鈹陶瓷的應用領域

1.2.1高溫結構材料

1.2.2在原子能反應堆上的應用

1.2.3電子工業用高熱導率材料

1.3國內外氧化鈹陶瓷的主要生產廠家和發展前景

2 氧化鈹陶瓷的基礎理論知識

2.1引言

2.2氧化鈹陶瓷的顯微結構和化學鍵

2.2.1氧化鈹陶瓷的顯微結構要素

2.2.2 BeO晶體的化學鍵和結構

2.2.3玻璃相和氣相

2.3氧化鈹陶瓷的高熱導率

2.3.1熱導率的宏觀規律

2.3.2熱導率的微觀機理

2.3.3氧化鈹陶瓷桿的實際應用

3 氧化鈹粉體及其陶瓷料的配方

3.1引言

3.2氧化鈹粉體的製備

3.3氧化鈹粉體的技術性能規範

3.4氧化鈹陶瓷料的組分在生產過程中的變化

3.5氧化鈹陶瓷料的研磨工藝和粒度要求

3.6氧化鈹陶瓷料的組成和配方

4 氧化鈹陶瓷的成型工藝

4.1引言

4.2熱壓鑄成型

4.2.1熱壓鑄成型工藝的原理和優缺點

4.2.2熱壓鑄成型工藝流程

4.2.3熱壓鑄漿料的工藝性能要求

4.2.4熱壓鑄成型的主要工藝參數

4.3 干壓成型

4.3.1干壓成型的基本工藝原理及其優缺點

4.3.2干壓成型中的黏結劑和造粒工藝

4.3.3干壓成型的主要工藝流程

4.4 擠製成型

4.4.1擠製成型的工藝原理及其優缺點

4.4.2氧化鈹陶瓷桿(夾持桿)的技術要求和擠制工藝

4.4.3擠製成型的廢品分析

4.5 軋膜成型

4.5.1軋膜成型的工藝原理及其優缺點

4.5.2軋膜成型工藝材料配方

4.5.3軋膜成型氧化鈹原料的粒度分佈和基本生產工藝流程

4.5.4軋膜坯片的排膠工藝

4.6等靜壓成型

4.6.1引言

4.6.2等靜壓成型對造粒的技術要求

4.6.3等靜壓成型氧化鈹輸出窗瓷片

5氧化鈹陶瓷的燒成

5.1引言

5.2氧化鈹陶瓷的燒結機理

5.2.1氧化鈹陶瓷燒結的蒸發一凝聚機理

5.2.2氧化鈹陶瓷燒結的擴散機理

5.3影響氧化鈹陶瓷燒結質量的主要因素

5.3.1氧化鈹粉體的粒度

5.3.2氧化鈹粉體前驅體對燒結性能的影響

5.3.3氫氧化鈹的煅燒溫度

5.3.4添加劑的性質和數量

5.3.5成型工藝

5.3.6燒結氣氛

5.3.7燒成溫度規範

6氧化鈹陶瓷的性能

6.1引言

6.2氧化鈹陶瓷的熱性能

6.3氧化鈹陶瓷的電性能

6.3.1氧化鈹陶瓷的介電常數和tam性能

6.3.2氧化鈹陶瓷的體積電阻

6.3.3氧化鈹陶瓷的擊穿強度

6.4氧化鈹陶瓷的力學性能

6.4.1氧化鈹陶瓷力學性能的影響因素

6.4.2氧化鈹陶瓷的機械強度與溫度的關係

6.4.3氧化鈹陶瓷晶粒度對抗折強度的影響

6.4.4退火、加栽速度對氧化鈹陶瓷強度的影響

6.5中子輻射對氧化鈹陶瓷性能的影響

6.6納米、高純氧化鈹粉體對陶瓷性能的提高

6.6.1納米、高純氧化鈹粉體的物理和化學性能

6.6.2納米、高純氧化鈹粉體製備陶瓷的性能

6.7氧化鈹陶瓷的綜合性能

7 氧化鈹陶瓷的應用

7.1在高級耐火材料中的應用

7.2在原子反應堆和聚變堆中的應用

7.3在大功率電子器件和集成電路上的應用

7.3.1半導體器件用熱沉材料和IC基片

7.3.2大功率真空電子器件用輸出窗

7.3.3大功率真空電子器件用夾持桿

7.3.4微波大功率真空電子器件用衰減陶瓷

7.3.5氧化鈹陶瓷在氬離子激光器上的應用

7.3.6滲碳多孔氧化鈹衰減陶瓷的製備和封接實例

7.4其他應用

8 氧化鈹陶瓷的金屬化和封接

8.1引言

8.2氧化鈹陶瓷一般燒結法的工藝和流程

8.2.1氧化鈹陶瓷件的清洗和處理

8.2.2燒結粉末法金屬化原料的技術規範

8.2.3金屬化膏劑的配製和塗敷

8.2.4金屬化塗層的燒結

8.2.5金屬化層的鍍鎳技術

8.2.6燒結金屬粉末法的典型'再藩萎耨P

8.2.7氧化鈹陶瓷金屬化的配方和工藝

8.2.8氧化鈹陶瓷金屬化的技術實例

8.3氣相沉積金屬化

8.3.1蒸鍍金屬化

8.3.2濺射金屬化

8.3.3離子鍍金屬化

8.3.4氣相沉積金屬化技術實例

8.4活性法氧化鈹陶瓷一金屬封接

8.4.1活性金屬封接工藝

8.4.2活性法的封接機理

8.4.3活性法的焊料形態及其發展

8.4.4活性法氧化鈹陶瓷一金屬封接實例

8.5 Mo-MnO2燒結金屬粉末法

8.6 W-Y2O3燒結金屬粉末法

8.7真空氣氛金屬化

9 氧化鈹陶瓷的毒性和防護

9.1引言

9.2鈹及其化合物的毒性和危害

9.2.1鈹及其化合物毒性的一般原則

9.2.2人體鈹中毒的主要途徑及防護重點

9.2.3電子工業用氧化鈹陶瓷的毒性和分級

9.3鈹及其化合物毒性的防護和排放標準

9.3.1氧化鈹毒性的防護

9.3.2鈹及其化合物的允許濃度和排放標準

9.4鈹病的診斷標準及處理原則

9.4.1診斷標準

9.4.2診斷及分級標準

9.4.3治療原則

9.4.4勞動能力鑒定

9.4.5健康檢查的要求

9.4.6就業禁忌證

9.5鈹廢氣中總懸浮顆粒物的測定

9.5.1測定原理

9.5.2測定儀器

9.5.3測定步驟

9.5.4計算總懸浮顆粒物

10 氧化鈹陶瓷及其封接件的質量評估和檢測技術

10.1氧化鈹陶瓷的質量評估

10.1.1性能指標

10.1.2離散程度

10.1.3環境試驗

10.1.4顯微結構

10.2氧化鈹陶瓷封接件的質量評估

10.2.1性能指標

10.2.2離散程度和環境試驗

10.2.3顯微結構

10.3氧化鈹陶瓷及其封接件主要性能的檢測技術

10.3.1真空氣密性的檢測方法

10.3.2機械強度的測定

10.3.3熱穩定性的測定

lO.3.4氧化鈹陶瓷一金屬封接的顯微分析方法

附 錄

附錄1 與氧化鈹陶瓷燒結及金屬化封接有關的相圖

附錄2 氧化鈹陶瓷的科研和生產常用的數據表

附錄3 前蘇聯鈹作業技術安全要求

參考文獻