納米場效應晶體管(Nan 納米場效應晶體管是指溝道長度為n 則對於納米場效應晶體管的性能分析,需要採用載流子波——量子波的概念來處理。
納米場效應晶體管(Nano-FET):
納米場效應晶體管是指溝道長度為nm數量級的FET。實際上,也就是溝道的長度短到與溝道的厚度可相比擬時的場效應晶體管。
納米場效應晶體管的特點就是不僅需要考慮
載流子在垂直溝道方向的橫向量子化,而且也需要考慮沿著溝道方向的縱向
量子化,即是一個量子化的三維問題。則對於納米場效應晶體管的性能分析,需要採用載流子波——量子波的概念來處理。通過計算溝道方向上量子波的分佈和量子波的輸運,可以求出源-漏輸出電流以及相應的
伏安特性。結果表明:
納米MOSFET仍然具有正常
MOSFET那樣的導電工作特性!這是由於多種量子限制所造成的。