納米場效應晶體管

納米場效應晶體管

納米場效應晶體管(Nan 納米場效應晶體管是指溝道長度為n 則對於納米場效應晶體管的性能分析,需要採用載流子波——量子波的概念來處理。

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正文


納米場效應晶體管(Nano-FET):
納米場效應晶體管是指溝道長度為nm數量級的FET。實際上,也就是溝道的長度短到與溝道的厚度可相比擬時的場效應晶體管。
納米場效應晶體管的特點就是不僅需要考慮載流子在垂直溝道方向的橫向量子化,而且也需要考慮沿著溝道方向的縱向量子化,即是一個量子化的三維問題。則對於納米場效應晶體管的性能分析,需要採用載流子波——量子波的概念來處理。通過計算溝道方向上量子波的分佈和量子波的輸運,可以求出源-漏輸出電流以及相應的伏安特性。結果表明:納米MOSFET仍然具有正常MOSFET那樣的導電工作特性!這是由於多種量子限制所造成的。