LPDDR

LPDDR2

第二代低功耗內存技術LPDDR2的標準規範於2010年12月由JEDEC固態技術協會正式發布。

LPDDR3

第三代低功耗內存技術LPDDR3的標準規範於2012年5月由JEDEC固態技術協會正式發布。

LPDDR3也一樣支持PoP堆疊封裝和獨立封裝，以滿足不同類型移動設備的需要。LPDDR2的能效特性和信號界面都也得以延續。

除此之外，LPDDR3重點加入了新技術：

- Write-Leveling and CA Training(寫入均衡與指令地址調馴)：可讓內存控制器補償信號偏差，確保內存運行於業內最快輸入匯流排速度的同時，維持數據輸入設定、指令與地址輸入時序均滿足需求。

- On Die Termination(片內終結器/ODT)：可選技術，為LPDDR3數據平面增加一個輕量級終結器，改進高速信號傳輸，並儘可能降低對功耗、系統操作和針腳計數的影響。

由於輸入/輸出介面數據傳輸速度最高可達3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的兩倍，新推出的8Gb LPDDR4內存可以支持超高清影像的拍攝和播放,並能持續拍攝2000萬像素的高清照片。

與LPDDR3內存晶元相比，LPDDR4的運行電壓降為1.1伏，堪稱適用於大屏幕智能手機和平板電腦、高性能網路系統的最低功耗存儲解決方案。以2GB內存封裝為例，比起基於4Gb LPDDR3晶元的2GB內存封裝，基於8Gb LPDDR4晶元的2GB內存封裝因運行電壓的降低和處理速度的提升，最大可節省40%的耗電量。同時，新產品的輸入/輸出信號傳輸採用三星獨有的低電壓擺幅終端邏輯(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)，不僅進一步降低了LPDDR4晶元的耗電量，並使晶元能在低電壓下進行高頻率運轉，實現了電源使用效率的最優化。

LPDDR5

2019年2月20日，JEDEC(固態存儲協會)正式發布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內存標準。

相較於2014年發布的第一代LPDDR4標準，LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps)，直接翻番。

如果匹配高端智能機常見的64bit bus，每秒可以傳送51.2GB數據;要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。

固態協會認為，LPDDR5有望對下一代便攜電子設備(手機、平板)的性能產生巨大提升，為了實現這一改進，標準對LPDDR5體系結構進行了重新設計，轉向最高16 Bank可編程和多時鐘體系結構。

同時，還引入了數據複製(Data-Copy)和寫X(Write-X)兩個減少數據傳輸操作的命令來降低整體系統功耗，前者可以將單個陣腳的數據直接複製到其它針腳，後者則減少了SoC和RAM傳遞數據時的耗電。

另外，LPDDR5還引入了鏈路ECC糾錯，信號電壓250mV，Vddq/Vdd2電壓還是1.1V。