直拉法（Czochralski法），單晶生長，簡稱Cz法。
半導體圓片是從大塊晶體上切割下來的，絕大多數晶體的主流生產技術是直拉生長法（Czochralski法）。這項工藝最早是由Teal在20 世紀50年代初開發使用的，而在此之前，早在1918年，Czochralski採用過類似的方法，用它從熔融金屬中拉制細燈絲。硅是一個單組分系統，從他開始研究晶體的生長是最容易的。
直拉法單晶生長設計熔融態物質的結晶過程。在
單晶硅生長中用到的材料是電子級
多晶硅，它從
石英（
SiO2）中提煉出來並被提純至 99.999999999%純度。在一個可抽真空的腔室內置放著一個由熔融石英製成的
坩堝，
多晶就裝填在此坩堝中，腔室回充保護性氣氛，將坩堝加熱至 1500°C左右。接著，一塊小的用化學方法蝕刻的
籽晶(直徑約0.5cm,長約10cm)降下來與多晶熔料相接觸，籽晶必須是嚴格定向的，因為它是一個複製樣本，再其基礎上將要生長處大塊的，稱為晶錠（boule）的晶體。目前的硅晶定，直徑可達300mm以上，長度有1-2m。
