刻蝕

刻蝕，英文為Etch，它是半導體製造工藝，微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯繫的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然後通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微製造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工製造的一種普適叫法。

1刻蝕方法

刻蝕方法

刻蝕最簡單最常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在於濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。

濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是：

濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕

優點是選擇性好、重複性好、生產效率高、設備簡單、成本低

缺點是：鑽刻嚴重、對圖形的控制性較差，不能用於小的特徵尺寸；會產生大量的化學廢液

干法刻蝕種類很多，包括光揮發、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重複性好，細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設備複雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。

干法刻蝕方式很多，一般有：濺射與離子束銑蝕，等離子刻蝕（Plasma Etching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕（RIE）。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。

刻蝕

刻蝕

刻蝕方法

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