數據實驗表明，在Si發射區摻雜濃度>10cm 時，Auger複合壽命將小於Shockley-Hall-Read複合壽命（SHR複合壽命的典型值為10s 則這時發射區少子的壽命即由τA很小的Auger過程決定；從而使得發射區的少子擴散長度減短，導致注射效率降低。
實驗表明，在Si發射區摻雜濃度>10cm 時，Auger複合壽命將小於Shockley-Hall-Read複合壽命（SHR複合壽命的典型值為10s ）。則這時發射區少子的壽命即由τA很小的Auger過程決定；從而使得發射區的少子擴散長度減短，導致注射效率降低。