氧化銦

氧化銦

氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料,具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性,在光電領域、氣體感測器、催化劑方面得到了廣泛應用。而氧化銦顆粒尺寸達納米級別時除具有以上功能外,還具備了納米材料的表面效應、量子尺寸效應、小尺寸效應和宏觀量子隧道效應等。

基本信息


中文名稱:氧化銦
中文別名:氧化銦(III);納米氧化銦;三氧化二銦;氧化銦/納米氧化銦;
英文名稱:Indium Oxide
英文別名:Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
分子式:InO
分子量:277.63400
精確質量:277.79200
PSA:43.37000

雜質要求


In2O3含量:99.99%,(其它雜質以%計)
氯化物<=0.001硫酸鹽<= 0.002氮化合物<=0.003Cu <=0.0002
Pb <=0.0004Cd <=0.00079Ti <=0.0003Sn <=0.00063
Al<=0.0002Fe <=0.0015Ag<=0.00005其它再議

包裝


本產品可按用戶要求,裝入塑料桶,熱塑套管封口。
包裝(Package): 20公斤/袋

用途


電阻式觸摸屏中經常使用的原材料,主要用於熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外,廣泛應用於有色玻璃、陶瓷、鹼錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統領域。近年來大量應用於光電行業等高新技術領域和軍事領域,特別適用於加工為銦錫氧化物(ITO)靶材,製造透明電極和透明熱反射體材料,用於生產平面液晶顯示器和除霧冰器。

編號系統


CAS號:1312-43-2
MDL號:MFCD00011060
EINECS號:215-193-9
RTECS號:NL1770000
PubChem號:24852170

物性數據


1.性狀:白色或淡黃色無定型粉末,加熱轉變為紅褐色。
2.密度(g/mL,25℃):7.179
3.熔點(ºC):2000
4.蒸氣壓(mmHg,25ºC):<0.01
5.溶解性:不溶於水,溶於熱的無機酸

毒理學數據


急性毒性:大鼠口經LD:>10gm/kg;小鼠引入腹膜LDLo:5gm/kg;小鼠口經LDLo:10gm/kg

生態學數據


通常來說對水是無害的,若無政府許可,勿將材料排入周圍環境。

分子結構數據


1、單一同位素質量:277.7925 Da
2、標稱質量:278 Da
3、平均質量:277.6342 Da

計算化學數據


1.疏水參數計算參考值(XlogP):無
2.氫鍵供體數量:0
3.氫鍵受體數量:3
4.可旋轉化學鍵數量:0
5.互變異構體數量:無
6.拓撲分子極性表面積3
7.重原子數量:5
8.表面電荷:0
9.複雜度:0
10.同位素原子數量:0
11.確定原子立構中心數量:0
12.不確定原子立構中心數量:0
13.確定化學鍵立構中心數量:0
14.不確定化學鍵立構中心數量:0
15.共價鍵單元數量:5

性質與穩定性


在氫氣或其他還原劑存在下,加熱至400~500℃可還原成金屬銦或低價銦的氧化物。
在高溫下分解為低級氧化物。另外,在高溫下可與金屬銦發生反應,低溫灼燒生成的InO雖易溶於酸,但經過高溫處理得越完全就越難溶,吸濕性也消失了。三氧化二銦在赤熱狀態下用氫氣還原時,則生成金屬銦。

貯存方法


保持貯藏器密封、儲存在陰涼、乾燥的地方,確保工作間有良好的通風或排氣裝置。

合成方法

1.將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成InO、InO、InO,精細控制還原條件可製得高純InO。也可用噴霧燃燒工藝製得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。
2.將氫氧化銦灼燒製備三氧化二銦時,溫度過高的話,InO有熱分解的可能性,若溫度過低則難以完全脫水,而且生成的氧化物具有吸濕性,因此,加熱溫度和時間是重要的因素。另外,因為InO容易被還原,所以必須經常保持在氧化氣氛中。
3.將氫氧化銦在空氣中,於850℃灼燒至恆重,生成InO,再在空氣中於1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以製得三氧化二銦。
用途
1.用作光譜純試劑和電子元件的材料等
2.用於金屬反射鏡面的保護塗層、光電顯示半導體薄膜,也用於製造銦鹽、玻璃。
安全信息
危險運輸編碼:UN 1993 3/PG 2
危險品標誌:刺激
安全標識:S26S36
危險標識:R36/37/38