銻化鎵

GaSb 是一種Ⅲ -Ⅴ族化合物半導體材料, 對它的研究遠不如其他半導體材料(如GaAs , InP 等)那樣深入。但近些年來這種材料越來越引起人們興趣, 這主要是光纖通信技術的發展, 對新器件的潛在需求而引起的。在光通信中為了減少傳輸中的損耗, 總是儘可能採用較長波長的光, 最早使用0 .8μm 波長的光, 現在使用1 .55 μm 波長的光。據估計下一代光纖通信將採用更長波長的光。研究表明某些非硅材料光纖在波長為(2 ～ 4)μm 的範圍時傳輸損耗更小。在所有Ⅲ -Ⅴ族材料中,GaSb 作為襯底材料引起了更多的注意, 因為它可以與各種Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數相匹配, 這些材料光譜的範圍在(0 .8 ～ 4 .0)μm 之間, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的帶間吸收也可以製造更長波長(8 ～ 14)μm 範圍的探測器。

GaSb 基材料製造的器件除了在光纖通信中有巨大的潛在應用價值外, 在其他領域也有很大的潛在應用價值, 如製作多種用途的紅外探測器件及火箭和監視系統中的紅外成像器件, 用於火災報警和環境污染檢測的感測器, 監測工廠中腐蝕氣體(如HCl 等)和有毒氣體的泄漏的感測器等。