銻化銦

銻和銦的化合物，金屬銻和銦在高溫熔合而得，具閃鋅礦型結構的晶體。

銻化銦單晶(indium antimoningle crystal InSb)

共價鍵結合，有一定離子鍵成分。立方晶系閃鋅礦型結構，晶格常數0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔點525℃。為直接帶隙半導體，室溫禁帶寬度0.18eV，本徵載流子濃度1.1×1022/m3，本徵電阻率6×10-4Ω·m，較純晶體的電子和空穴遷移率為10和0.17m2/(V·s)。採用區域熔煉、直拉法製備。用於製作遠紅外光電探測器、霍耳器件和磁阻器件。