ITO導電膜

ITO 薄膜的製備方法有蒸發、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴塗等, 但使用最多的是反應磁控濺射法。

ITO膜層的厚度不同，膜的導電性能和透光性能也不同。一般來說，在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下，ITO膜層越厚，PET-ITO膜的表面電阻越小，光透過率也相應的越小。

高阻抗ITO導電薄膜PET-ITO主要應用於移動通訊領域的觸摸屏生產。

產品參數：

面電阻：300～500 Ω/□

面電阻均勻性：MD≤±3%，TD≤±6%

薄膜厚度：0.188±10%

線性度（MD）：≤1.5%

全光線透過率：≥86%

表面硬度（鉛筆硬度）：≥3H

熱穩定性：(R-R0)/R: ±20%

熱收縮率：MD≤1.0%，TD≤0.8%

加熱捲曲：≤10mm

低阻抗ITO導電膜可用於對導電性能要求比較高的領域，如：用於薄膜太陽能電池的透明電極、電致變色器件的電極材料、薄膜開關等領域。

產品參數：

薄膜厚度：0.175±10 mm

霧度：<2%

寬度：406/360±2 mm

粘附：100/100

捲曲：≤10 mm

透過率：≥ 80%

表面電阻：90±15 Ω/□

面電阻均勻性：<7%

熱收縮：MD≤1.3，TD≤1.0

熱穩定性：

高溫：80oC,120hr ≤1.3

低溫：-40oC,120hr ≤1.3

熱循環：-30oC—80oC ≤1.3

熱/濕度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

2014第十三屆深圳國際觸摸屏展覽會

時間：2014年11月25日—27日

地點：深圳會展中心