南亞科技股份有限公司

該公司資本額403億台幣，員工人數約4000人，總公司位於華亞科技園區，生產基地為一座八吋晶圓廠及一座十二吋晶圓廠，分別位於桃園南崁及泰山南林園區。南亞科技多年來專註於研發及智慧財產權的建立，並已培養近800人的研發團隊。

在製程進度上，南亞科技的42納米製程技術已於2010年第四季開始量產，計劃於2011年中全數可轉換至42納米(不包含部份為利基型內存產品線所保留的產能)，以2GbDDR3晶元生產為主，將於下半年導入4GbDDR3的產品。3X納米製程技術規劃將於今(2011)年第二季導入投片。南亞科技致力擁有自主技術及經營自有品牌，並持續強化高附加價值利基型(非標準型)內存戰線，期能進一步提升台灣DRAM產業在國際的競爭力。

為提升技術力與競爭力，南亞科技於2008年4月與美國美光公司(Micron)簽訂10年共同研發合約，共同致力於先進位程技術，開發更高附加價值產品。南亞科技與美國美光公司(Micron)簽訂50納米以下製程技術共同開發合約，自2008年12月起共同分享華亞科技的產出。華亞科技已於2010年第四季完成50納米技術轉換，並達產能滿載每月13萬片之投片。華亞科技計劃於2011年第一季開始42納米量產，且於2011年年中完成絕大多數的產能轉換。此策略聯盟，與美光共同研發，同時在台灣培養本土的研發人才，使技術在台生根，以達到永續經營的目標。

南亞科技認知技術發展為經營內存產業的命脈，於2008年4月與美國美光(Micron)簽訂50納米以下製程與產品共同開發合作，共同致力於先進位程與產品的開發。50納米世代正在導入生產中，42納米預計2010年下半年開始量產，30納米正在研發中。我們與美光公司共同研發，同時在台灣培養本土的研發人才，使技術在台灣生根，以達到永續經營的目標。

南亞科技深知企業欲永續生存，須以顧客導向作為經營基礎。我們將不斷地投注於製程技術的提升，與藉由有效的員工訓練，使文件、操作程序、原物料、製程環境、量測儀器、與製程式控制制等能趨於完整與一致，以求取更高的質量保證標準，提供更優質的服務。

「我們秉持追根究底、實事求是的精神，精益求精，以滿足客戶對產品質量、交期及服務的需求。」－－－連日昌總經理

質量承諾

提供滿足客戶對產品質量、交期及服務之需求為本公司對客戶之承諾與努力達成之目標，此一承諾與目標將依ISO9001及ISO/TS16949質量管理系統為最高指導原則及各部門作業之依據，透過全員參與使全體人員了解並貫徹實施質量政策

質量系統

為有效整合企業的組織、責任、程序、過程與資源等質量管理活動，作為達成既定政策及目標的手段，質量系統的建立，應滿足下列的功能發展：

質量系統能為公司員工（視各單位職能別）了解且有效運作。

提供滿足客戶的產品。

強調事前預防而非事後追查。

5月南亞塑料股份有限公司與日本沖電氣株式會社(OKI)簽訂16MbDRAM技術移轉合約。

1月晶圓一廠動土興建。

3月南亞科技正式成立於1995年3月4日。

4月與日本沖電氣株式會社(OKI)、南亞塑料股份有限公司簽訂三方面備忘錄，承接原南亞塑料與OKI16MbDRAM技術案之所有權利義務。

7月16MbDRAM試產成功。

10月正式銷售開始。

11月與日本沖電氣株式會社(OKI)簽訂0.36~0.32微米(μm)64MbDRAM技術授權合約投資於美國矽谷成立產品設計公司GSI。

6月獲得勞氏ISO-9002品質認證。

7月南亞科技美國分公司NTC-USA成立。

8月64MbDRAM投片試產。

4月晶圓二廠動土興建。

11月與IBM公司簽訂0.2~0.175微米(μm)64~256MbDRAM技術移轉合約公司單月營業額突破新台幣10億元。

12月獲得勞氏ISO-14001環境系統管理認證成立美國德州休斯敦產品設計中心。

10月0.20微米(μm)64MbSDRAM開始量產。

2月晶圓二廠開始投片試產。

8月128MbSDARM及DDRDRAM試產成功。

8/17南亞科技正式在台灣掛牌上市。

10月與IBM公司簽訂0.14/0.11微米(μm)共同研發合約。

12月二廠獲得勞氏ISO-9001品質認證。

1月通過IBMTier1質量系統驗證。

5月與SST公司簽訂0.25/0.18微米(μm)代工及高階快閃記憶體共同研發合約。

6月全面量產0.175微米(μm)128Mb/256MbDRAM。

4月成立南亞科技(香港)股份有限公司。

9月成立日本東京分公司。

11月與德國英飛凌公司簽訂0.09/0.07微米共同研發技術合約，併合資設立12吋晶圓廠「華亞科技」。

12月華亞科技破土典禮。

二廠獲ISO-14001認證。

一廠＆二廠獲OHSAS18001認證。

1月成立德國分公司。

成立崑山辦事處。

12月華亞科技正式裝機典禮。

5月南亞科技通過DDR2產品IntelAVL認證。

10月華亞科技月產能達到24,000片，以0.11mn製程技術為主。

12月90納米DDR2開始投片試產。

4月高階伺服器用DDR2內存模塊通過國際大廠認證，進軍伺服器用內存市場。

華亞科技上興櫃掛牌。

5月華亞科技第二座12吋晶圓廠動土。

6月90納米技術研發成功並通過認證。

9月與英飛凌簽訂60納米共同研發技術合約。

3月第一座十二吋廠，晶圓三廠動土興建。

9月70/75納米(與奇夢達共同研發)技術成功通過認證。

10月南亞科（上海）科技貿易限公司成立。

3月三A廠無塵室興建。

5月三A廠機台設備Move-in。

10月90納米製程量產。

4月與美光科技簽署共同研發技術合約。

11月南科3A廠70納米製程達到第一期全產能3萬4千片。

12月南科三廠通過英國勞氏(Lloyd’s)ISO14001環境管理系統認證及OHSAS18001安全衛生管理系統認證。

6月完成減資66%並增資台幣122億元，增資后資本額為台幣257億元。

6月導入68納米堆棧式製程技術生產1GbDDR3產品。

7月導入50納米堆棧式製程技術生產1GbDDR3產品。

12月完成現金增資新台幣160億元，增資后資本額為新台幣340億元。

7月7月5日成功試產42納米製程技術。

10月42納米製程技術於第4季開始量產。

12月完成現金增資新台幣99億元，增資后資本額為新台幣403億元。

「技術生根，永續經營」

致力於先進技術與產品的開發。同時在台灣培養本土的研發人才，使技術在台灣生根，永續發展。

充分利用已開發完成的先進位程技術，提升產品的價值，達到求取最大獲利的目標。

經營目標:

躋身成為世界一流DRAM內存及相關產品製造服務供貨商，以兩位數的全球市場佔有率為目標。

南亞科技除鞏固其在標準型內存市場市佔率外，更積極經營利基型（非標準型）內存市場，包括伺服器用內存、消費型內存及行動式內存(MobileRAM)三大核心產品線的研發、生產及銷售。在伺服器用內存及消費型內存領域已有優異成績表現，且行動式內存領域正逐漸茁壯。預期這些高附加價值產品在2011年佔總營業額比重可提高至三成以上，可為南科銷售量帶來逐月成長，且期許2012年能挑戰營收過半的策略目標。非標準型內存利潤較高且市場穩定，屬高附加價值的產品，南科致力強化該內存戰線，期能進一步提升台灣DRAM產業在國際的競爭力。

經營策略:

秉持台塑企業「追根究柢，實事求是」之經營理念，南科致力於擁有自主技術及經營自有品牌。

南科與美光采共同研發，目標在2012年達到自主研發目標。

南科長期經營自有品牌，品牌銷售占出貨量超過90%，其中OEM客戶(如聯想、宏碁、華碩、HP、Dell等)佔75%，且在供貨商評比中名列前茅。

在台灣設立製程技術研發中心，與技術夥伴美光同步研發，並以最先進的技術，於最大的生產基地量產，獲得最大利益。