低雜訊放大器

由放大器所引起的信噪比惡化程度通常用雜訊係數F（見放大）來表示或用取對數值的雜訊係數FN表示FN=10lgF(dB)。

理想放大器的雜訊係數F=1(0分貝),其物理意義是輸出信噪比等於輸入信噪比。設計良好的低雜訊放大器的FN可達3分貝以下。在雜訊係數很低的場合，通常也用雜訊溫度Te作為放大器雜訊性能的量度：Te=T0(F-1)。式中T0為室溫。在這裡，它和雜訊溫度Te的單位都是開爾文(K)。

多級放大器的雜訊係數F主要取決於它的前置級。若F1，F2，…，Fn依次為各級放大器的雜訊係數，則

式中A1,…，An-1依次為各級放大器的功率增益。前置級的增益A1越大，則其後各級放大器對總雜訊係數F的影響越小。

單級放大器的雜訊係數主要取決於所用的有源器件及其工作狀態。現代的低雜訊放大器大多採用晶體管、場效應晶體管；微波低雜訊放大器則採用變容二極體參量放大器，常溫參放的雜訊溫度Tθ可低於幾十度（絕對溫度），致冷參量放大器可達20K以下。砷化鎵場效應晶體管低雜訊微波放大器的應用已日益廣泛，其雜訊係數可低於2分貝。

晶體管的自身雜訊由下列四部分組成：①閃爍雜訊，其功率譜密度隨頻率f的降低而增加，因此也叫作1/f雜訊或低頻雜訊。頻率很低時這種雜訊較大，頻率較高時（幾百赫以上）這種雜訊可以忽略。②基極電阻rb'b的熱雜訊和。③散粒雜訊，這兩種雜訊的功率譜密度基本上與頻率無關。④分配雜訊，其強度與f的平方成正比，當f高於晶體管的截止頻率時，這種雜訊急劇增加。圖1是晶體管雜訊係數F隨頻率變化的曲線。對於低頻，特別是超低頻低雜訊放大器，應選用1/f雜訊小的晶體管；對於中、高頻放大，則應盡量選用高的晶體管，使其工作頻率範圍位於雜訊係數-頻率曲線的平坦部分。

場效應晶體管沒有散粒雜訊。在低頻時主要是閃爍雜訊，頻率較高時主要是溝道電阻所產生的熱雜訊。通常它的雜訊比晶體管的小，可用於頻率高得多的低雜訊放大器。

放大器的雜訊係數還與晶體管的工作狀態以及信源內阻有關。圖2是考慮了自身雜訊的放大器模型。us和Rs分別為信源電壓和內阻,Rs的熱雜訊電壓均方值等於4kTRs墹f，式中T為絕對溫度，k為玻耳茲曼常數，墹f為放大器通帶。放大器自身雜訊用雜訊電壓均方值和雜訊電流均方

值表示，它們是晶體管工作狀態的函數，可以用適當方法來測量。這樣，放大器的雜訊係數F可寫作

放大管的直流工作點一旦確定，和亦隨之確定，這樣，雜訊係數F將主要是信源內阻Rs的函數。Rs有一使F為最小的最佳值（圖3）。

在工作頻率和信源內阻均給定的情況下，雜訊係數也和晶體管直流工作點有關。發射極電流IE有一使雜訊係數最小的最佳值，典型的F-IE曲線如圖4所示。

晶體管放大器的雜訊係數基本上與電路組態

無關。但共發射極放大器具有適中的輸入電阻，F為最小時的最佳信源電阻Rs和此輸入電阻比較接近，輸入電路大體上處於匹配狀態，增益較大。共基極放大器的輸入電阻小，共集電極放大器的輸入阻抗高，兩者均不易同時滿足雜訊係數小和放大器增益高的條件，所以都不太適於作放大鍵前置級之用。為了兼顧低雜訊和高增益的要求，常採用共發射極-共基極級聯的低雜訊放大電路。

應用

雜訊放大器(LNA)主要面向移動通信基礎設施基站應用，例如收發器無線通信卡、塔頂放大器(TMA)、組合器、中繼器以及遠端/數字無線寬頻頭端設備等應用設計，並為低雜訊指數(NF, Noise Figure)立下了新標竿。目前無線通信基礎設施產業正面臨必須在擁擠的頻譜內提供最佳信號質量和復蓋度的挑戰，接收器靈敏度是基站接收路徑設計中最關鍵的要求之一，合適的LNA選擇，

特別是第一級LNA可以大幅度改善基站接收器的靈敏度表現，低雜訊指數也是關鍵的設計目標，Avago提供了1900MHz下0.48dB同級產品最佳的雜訊指數。另一個關鍵設計為線性度，它影響了接收器分辨緊密接近信號和假信號分別的能力，三階截點OIP3可以用來定義線性度，在1900MHz和5V/51mA的典型工作條件下，Avago特有的GaAs增強模式pHEMT工藝技術可以帶來0.48dB的雜訊指數和35dBm的OIP3，在2500MHz和5V/56mA的典型工作條件下，雜訊指數為0.59dB，OIP3則為35dBm。通過低雜訊指數和高OIP3，這些Avago的新低雜訊放大器可以提供基站接收器路徑比現有放大器產品更大的設計空間。

可調整能力和共通引腳安排帶來設計優化和靈活度

電源

內置有源偏壓電路，Avago低雜訊放大器的工作電流可以調整，使設計工程師可以在工作功耗和輸出線性度間進行取捨，通過OIP3的測量並維持最佳的雜訊指

數，基站設計工程師可以擁有使用相同Avago低雜訊放大器滿足各種設計需求和不同地區要求的靈活度。由於必須在發射和接收電路卡中加入更多的通信頻道，印刷電路板的空間也成為基站設計工程師所面臨的另一項關鍵設計挑戰，Avago選用了小型4 mm2的QFN封裝來滿足這個市場需求，這兩款新低雜訊放大器採用和Avago現有900MHz低雜訊放大器MGA-633P8相同的封裝尺寸、引腳安排和外部匹配電路，可以在不同頻帶工作的所有基站射頻前端設計上使用共通的印刷電路板設計，減少為不同頻帶和地區市場提供基站解決方案時所需要的印刷電路板設計數量。

1500MHz到2300MHz工作

同級最佳雜訊指數(NF)：

0.48dB @ 1900MHz

35dBm OIP3

17.8dB增益

21dBm P1dB @ 1900MHz

2300MHz到4000MHz工作

低雜訊指數(NF)：0.59dB @ 2500MHz

35dBm OIP3

17.5dB增益

22dBm P1dB @ 2500MHz

單一5V電源，低功耗

典型51mA (1500MHz - 2300MHz)

典型56mA (2300MHz - 4000MHz)

器件采共通引腳安排和匹配電路

簡化印刷電路板設計和生產

採用特有工藝：0.25μm GaAs增強模式pHEMT

封裝和溫度範圍

這兩款低雜訊放大器採用2.0 x 2.0 x 0.85 mm大小，符合RoHS要求的8引腳表面貼裝QFN封裝供貨，所有器件都可以在-40oC到+85oC的寬廣溫度範圍下工作。

地球站的品質因數(G/T)主要取決於天線和低雜訊放大器(LNA)的性能。接收系統的雜訊溫度T是指折算到LNA輸入端的系統等效雜訊溫度，它主要由天線雜訊溫度T、饋線損耗LL和低雜訊接收機雜訊三個部分組成，如圖所示。

因此T之值為

T==T ++ TT/L ++(1 -－ 1/LL)T

式中：

TT為接收系統雜訊溫度

T為接收系統折算到LNA輸入端的等效雜訊溫度

TT為天線雜訊溫度

LL為饋線損耗(真值)

T 為環境溫度(T==293K)

可以算出，當饋線損耗增大0.1dB時，系統雜訊溫度就要增加約6.7K。可見饋線損耗對系統雜訊溫度影響極大，故饋線要儘可能短。實際上地球站的LNA往往直接安裝在饋源尾端的機艙中。