靜電感應晶閘管

靜電感應晶閘管

靜電感應晶閘管是在SIT的結構基礎上又增加了一個PN結,在內部多了1個三極體,2個晶體管構成一個晶閘管,因此也稱為雙極靜電感應晶閘管BSITH。由於它比SIT多一個具有注入功能的PN結,所以屬於2種載流子導電的雙極型器件。SITH有3個電極,即門極G、陽極A和陰極K。它有通態電阻小、通態壓降低、開關速度快、損耗小以及開通的電流增益大等優點。但製造工藝較複雜,電流關斷增益輕小,因此有待於再開發。

基本介紹


靜電感應晶閘管SITH(Static Induction Thyristor)誕生於1972年,是在SIT的漏極層上附加一層與漏極層導電類型不同的發射極層而得到的。因為其工作原理也與SIT類似,門極和陽極電壓均能通過電場控制陽極電流,因此SITH又被稱為場控晶閘管(Field Controlled Thyristor--FCT)。由於比SIT多了一個具有少子注入功能的PN結,因而SITH是兩種載流子導電的雙極型器件,具有電導調製效應,通態壓降低、通流能力強。其很多特性與GTO類似,但開關速度比GTO高得多,是大容量的快速器件。
SITH一般也是正常導通型,但也有正常關斷型。此外,其製造工藝比GTO複雜得多,電流關斷增益較小,因而其應用範圍還有待拓展。