光敏電阻
隨入射光的強弱而改變的電阻器
光敏電阻(photoresistor or light-dependent resistor,後者縮寫為ldr)或光導管(photoconductor),常用的製作材料為硫化鎘,另外還有硒、硫化鋁、硫化鉛和硫化鉍等材料。這些製作材料具有在特定波長的光照射下,其阻值迅速減小的特性。這是由於光照產生的載流子都參與導電,在外加電場的作用下作漂移運動,電子奔向電源的正極,空穴奔向電源的負極,從而使光敏電阻器的阻值迅速下降。
光敏電阻
光敏電阻器的阻值隨入射光線(可見光)的強弱變化而變化,在黑暗條件下,它的阻值(暗阻)可達1~10M歐,在強光條件(100LX)下,它阻值(亮阻)僅有幾百至數千歐姆。光敏電阻器對光的敏感性(即光譜特性)與人眼對可見光(0.4~0.76)μm的響應很接近,只要人眼可感受的光,都會引起它的阻值變化。設計光控電路時,都用白熾燈泡(小電珠)光線或自然光線作控制光源,使設計大為簡化。
光敏電阻
紫外光敏電阻器
對紫外線較靈敏,包括硫化鎘、硒化鎘光敏電阻器等,用於探測紫外線。
紅外光敏電阻器
主要有硫化鉛、碲化鉛、硒化鉛。銻化銦等光敏電阻器,廣泛用於導彈制導、天文探測、非接觸測量、人體病變探測、紅外光譜,紅外通信等國防、科學研究和工農業生產中。
可見光光敏電阻器
包括硒、硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘、砷化鎵、硅、鍺、硫化鋅光敏電阻器等。主要用於各種光電控制系統,如光電自動開關門戶,航標燈、路燈和其他照明系統的自動亮滅,自動給水和自動停水裝置,機械上的自動保護裝置和“位置檢測器”,極薄零件的厚度檢測器,照相機自動曝光裝置,光電計數器,煙霧報警器,光電跟蹤系統等方面。
按半導體材料分為本徵型光敏電阻、摻雜型光敏電阻。
1.光電流、亮電阻。光敏電阻器在一定的外加電壓下,當有光照射時,流過的電流稱為光電流,外加電壓與光電流之比稱為亮電阻,常用“100LX”表示。
2.暗電流、暗電阻。光敏電阻在一定的外加電壓下,當沒有光照射的時候,流過的電流稱為暗電流。外加電壓與暗電流之比稱為暗電阻,常用“0LX”表示。
3.靈敏度。靈敏度是指光敏電阻不受光照射時的電阻值(暗電阻)與受光照射時的電阻值(亮電阻)的相對變化值。
4.光譜響應。光譜響應又稱光譜靈敏度,是指光敏電阻在不同波長的單色光照射下的靈敏度。若將不同波長下的靈敏度畫成曲線,就可以得到光譜響應的曲線。
5.光照特性。光照特性指光敏電阻輸出的電信號隨光照度而變化的特性。從光敏電阻的光照特性曲線可以看出,隨著的光照強度的增加,光敏電阻的阻值開始迅速下降。若進一步增大光照強度,則電阻值變化減小,然後逐漸趨向平緩。在大多數情況下,該特性為非線性。
6.伏安特性曲線。伏安特性曲線用來描述光敏電阻的外加電壓與光電流的關係,對於光敏器件來說,其光電流隨外加電壓的增大而增大。
7.溫度係數。光敏電阻的光電效應受溫度影響較大,部分光敏電阻在低溫下的光電靈敏較高,而在高溫下的靈敏度則較低。
8.額定功率。額定功率是指光敏電阻用於某種線路中所允許消耗的功率,當溫度升高時,其消耗的功率就降低。
光敏電阻屬半導體光敏器件,除具靈敏度高,反應速度快,光譜特性及r值一致性好等特點外,在高溫,多濕的惡劣環境下,還能保持高度的穩定性和可靠性,可廣泛應用於照相機,太陽能庭院燈,草坪燈,驗鈔機,石英鐘,音樂杯,禮品盒,迷你小夜燈,光聲控開關,路燈自動開關以及各種光控玩具,光控燈飾,燈具等光自動開關控制領域。下面給出幾個典型應用電路。
調光電路
圖1
上述電路中整流橋給出的是必須是直流脈動電壓,不能將其用電容濾波變成平滑直流電壓,否則電路將無法正常工作。原因在於直流脈動電壓既能給可控硅提供過零關斷的基本條件,又可使電容C的充電在每個半周從零開始,準確完成對可控硅的同步移相觸發。
圖2
圖2是一種簡單的暗激發繼電器開關電路。其工作原理是:當照度下降到設置值時由於光敏電阻阻值上升激發VT1導通,VT2的激勵電流使繼電器工作,常開觸點閉合,常閉觸點斷開,實現對外電路的控制。
圖3
1.用一黑紙片將光敏電阻的透光窗口遮住,此時萬用表的指針基本保持不變,阻值接近無窮選擇大。此值越大說明光敏電阻性能越好;若此值很小或接近為零,說明光敏電阻損壞,不能使用。
2.將一光源對準光敏電阻的透光窗口,此時萬用表的指針應有較大幅度的向右擺動,阻值明顯減小,此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大,說明光敏電阻內部開路損壞,不能使用。
3.將光敏電阻透光窗口對準入射光線,用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動,使其間斷受光,此時,萬用表指針應隨黑紙片的晃動而左右擺動,如果萬用表指針始終停在某一位置,不隨紙片晃動而擺動,說明光敏電阻損壞。
硫化鉛光敏電阻在較寬的光譜範圍內均有較高的靈敏度,峰值在紅外區域;硫化鎘、硒化鎘的峰值在可見光區域。因此,在選用光敏電阻時,應把光敏電阻的材料和光源的種類結合起來考慮,才能獲得滿意的效果。
通常,光敏電阻器都製成薄片結構,以便吸收更多的光能。當它受到光的照射時,半導體片(光敏層)內就激發出電子—空穴對,參與導電,使電路中電流增強。為了獲得高的靈敏度,光敏電阻的電極常採用梳狀圖案,它是在一定的掩膜下向光電導薄膜上蒸鍍金或銦等金屬形成的。一般光敏電阻器結構如右圖所示。
光敏電阻器通常由光敏層、玻璃基片(或樹脂防潮膜)和電極等組成。光敏電阻器在電路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示
光敏電阻常用硫化鎘(CdS)製成。它分為環氧樹脂封裝和金屬封裝兩款,同屬於導線型(DIP型),環氧樹脂封裝光敏電阻按陶瓷基板直徑分為Ø3mm、Ø4mm、Ø5mm、Ø7mm、Ø11mm、Ø12mm、Ø20mm、Ø25mm。
優點
內部的光電效應和電極無關(光電二極體才有關),即可以使用直流電源
靈敏度和半導體材料、以及入射光的波長有關
環氧樹脂膠封裝(Coated with epoxy) 可靠性好 (Good reliability) 體積小 (Small volume) 靈敏度高 (High sensitivity) 反應速度快 (Quick response)光譜特性好(Good spectrum characteristic)
缺點
①在強光照射下光電轉換線性較差;②光電馳豫過程較長,何為光電導的馳豫現象?即光照后,半導體的光電導隨光照時間逐漸上升,經一段時間到達定態值。光照停止后,光電導逐漸下降;③頻率響應(器件檢測變化很快的光信號的能力)很低。
受溫度影響較大,響應速度不快,在ms到s之間,延遲時間受入射光的光照度影響(光電二極體無此缺點,光電二極體靈敏度比光敏電阻高),是耗材。
光敏電阻的工作原理是基於內光電效應。在半導體光敏材料兩端裝上電極引線,將其封裝在帶有透明窗的管殼裡就構成光敏電阻,為了增加靈敏度,兩電極常做成梳狀。用於製造光敏電阻的材料主要是金屬的硫化物、硒化物和碲化物等半導體。通常採用塗敷、噴塗、燒結等方法在絕緣襯底上製作很薄的光敏電阻體及梳狀歐姆電極,接出引線,封裝在具有透光鏡的密封殼體內,以免受潮影響其靈敏度。
在黑暗環境里,它的電阻值很高,當受到光照時,只要光子能量大於半導體材料的禁帶寬度,則價帶中的電子吸收一個光子的能量后可躍遷到導帶,並在價帶中產生一個帶正電荷的空穴,這種由光照產生的電子—空穴對了半導體材料中載流子的數目,使其電阻率變小,從而造成光敏電阻阻值下降。光照愈強,阻值愈低。入射光消失后,由光子激發產生的電子—空穴對將複合,光敏電阻的阻值也就恢復原值。在光敏電阻兩端的金屬電極加上電壓,其中便有電流通過,受到波長的光線照射時,電流就會隨光強的而變大,從而實現光電轉換。光敏電阻沒有極性,純粹是一個電阻器件,使用時既可加直流電壓,也加交流電壓。半導體的導電能力取決於半導體導帶內載流子數目的多少。
光敏電阻是用硫化隔或硒化隔等半導體材料製成的特殊電阻器,表面還塗有防潮樹脂,具有光電導效應。光敏電阻的工作原理是基於內光電效應,即在半導體光敏材料兩端裝上電極引線,將其封裝在帶有透明窗的管殼裡就構成光敏電阻。為了增加靈敏度,兩電極常做成梳狀。
半導體的導電能力取決於半導體導帶內載流子數目的多少。當光敏電阻受到光照時,價帶中的電子吸收光子能量后躍遷到導帶,成為自由電子,同時產生空穴,電子—空穴對的出現使電阻率變小。光照愈強,光生電子—空穴對就越多,阻值就愈低。當光敏電阻兩端加上電壓后,流過光敏電阻的電流隨光照增大而增大。入射光消失,電子—空穴對逐漸複合,電阻也逐漸恢復原值,電流也逐漸減小。
光敏電阻對光線十分敏感,其在無光照時,呈高阻狀態,暗電阻一般可達1.5MΩ。當有光照時,材料中激發出自由電子和空穴,其電阻值減小,隨著光照強度的升高,電阻值迅速降低,亮電阻值可小至1KΩ以下。
光敏電阻器的光照特性在大多數情況下是非線性的,只有在微小的範圍內呈線性,光敏電阻器的電阻值有較大的離散性(電阻變化、範圍大無規律)。
光敏電阻器的靈敏度是指光敏電阻器不受到光照是的電阻值(暗阻)和受到光照時電阻值(亮阻)的相對變化值。光敏電阻的暗阻和亮阻間阻值之比約為1500:1,暗阻值越大越好,使用時給其施加直流或交流偏壓,MG型光敏電阻器適用於可見光。其主要用於各種自動控制電路、光電計數、光電跟蹤、光控電燈、照相機的自動暴光及彩色電視機的亮度自動控制電路等場合。