透明導電薄膜

半導體薄膜系列剛好相反，導電性差，透明率高。當前研究和應用最為廣泛的是金屬膜系和氧化物膜系。透明導電薄膜主要用於光電器件（如LED，薄膜太陽能電池等）的窗口材料。常見的透明導電薄膜為ITO（錫摻雜三氧化銦）、AZO(鋁摻雜氧化鋅)等，它們的禁帶寬度大，只吸收紫外光，不吸收可見光，因此稱之為“透明”。

最近幾年來國內外的研究者分別在低溫製備的設備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設計和製備工藝方面進行了深入的研究。例如，Wu Wen-Fa等利用R.F磁控濺射工藝在不加熱的聚碳酸酯（PC）襯底上製備了厚度為250mm，電阻率為6× ~2（Ω·cm），透過率為74%~90%；Park Sung Kyu等利用R.F磁控濺射工藝在低溫聚合物PES上製備了110nmITO，方塊電阻是20O/□，透過率80%，但是表面的粗糙度較大；法國的David等，利用In-Sn合金靶在100℃下沉積在聚合物上的ITO薄膜透過率為85%，電阻率為~0.003Ω·cm，表面粗糙度為15-50，美國的Daeil.KIM用直接金屬離子束沉積（DMIBD）方法在70℃的條件下製備的ITO薄膜最高透過率為85%，最低電阻率為4×Ω·cm，表面質量比較高；此外還有一些研究人員利用脈衝激光沉積（PLD），電子束熱蒸發和金屬離子輔助濺射等方法在低溫甚至在室溫的條件下進行高質量塑基的薄膜製備。

國內的賈永新在150℃基板條件下製備出了透過率為80%左右ITO薄膜，但沒有見電阻和表面特性的報道；近年來李育峰等利用微波等離子體輔助方法在120℃的基片上沉積的薄膜透過率大於85%，但方塊電阻大於100O/□，表面特性沒有報道；馬瑾等在塑料襯底上在80℃-100℃的條件下製備出了透過率大於84%，電阻率~0.001量級的薄膜。

綜上所述，國內在低溫尤其常溫下製備ITO薄膜方面研究還不夠充分、不夠全面；並且研究製備方法也比較單一，與國外有比較大的差距。近年來國外尤其日本和韓國分別在低溫沉積技術、薄膜生長機理和薄膜表面改性方面進行了深入的研究，在保證不對薄膜襯底產生破壞的情況下，在低溫甚至室溫的條件下製備出了薄膜電阻率低於5×Ω·cm，透過率大於85%，表面的粗糙度小於2nm的ITO薄膜。