半導體晶元

為了滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的位錯（dislocation）、孿晶面（twins）或是堆垛層錯（stacking fault）都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體器件而言，材料晶格的缺陷（晶體缺陷）通常是影響元件性能的主因。

目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為柴可拉斯基法（鋼鐵場常見工法）。這種工藝將一個單晶的晶種（seed）放入溶解的同材質液體中，再以旋轉的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時，溶質將會沿著固體和液體的介面固化，而旋轉則可讓溶質的溫度均勻。

半導體晶元的發明是二十世紀的一項創舉，它開創了信息時代的先河。

全球半導體製造業2010年增長率將達88%

SEMI最新版的全球集成電路製造廠預測報告揭示，半導體廠2010年的支出預計將上升至300多億美元，較2009年同比增長88%。不少代工廠和存儲器公司在過去的幾個月內宣布了增加資本開支的計劃。此外，一部分之前“凍結”的項目也將陸續解凍，例如，TI的RFAB、TSMC12廠5期和UMC12A廠3/4期(前12B廠)以及三星的第16生產線和IM在新加坡的快閃記憶體工廠。SEMI的全球集成電路製造廠觀測報告也揭示了一批即將破土動工的新建晶元製造廠的計劃，如TSMC14廠的第4期、可能動工的FlashAlliance的5廠及其他。

當然即使2010年的支出已呈大幅度增長態勢，前道fab廠的支出仍需在2011年增長至少49%，才能使得設備支出回到2007年的水平。此外，設備的支出計劃也取決於全球經濟的持續復甦情況。SEMI全球集成電路製造廠觀測報告(SEMIWorldFabForecast)預測，2011年前道fab的支出額將略遜於2007年，達到423億美元。

2011年全球半導體市場增長乏力

2011年全球半導體市場規模為3009.4億美元，僅實現微弱增長0.88%，究其原因，主要是金融危機后全球經濟復甦缺乏動力，美國經濟持續低迷，歐洲債務危機益發嚴重且缺乏統一、有效的救助手段，新興市場國家普遍通貨膨脹加劇。經濟環境的不景氣以及對通貨膨脹的抑制，直接導致了其對電子整機需求的減弱。此外，半導體廠商在金融危機期間逆市投資擴大產能的市場效應也集中於2012年釋放，市場需求放緩、製造產能過剩直接導致了產品價格的大幅下降，以DRAM產品價格下滑幅度最多。