空穴型半導體又稱P型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁，由於銦或鋁原子周圍有3個價電子，與周圍4價硅原子組成共價結合時缺少一個電子，形成一個空穴。空穴相當於帶正電的粒子，在這類半導體的導電中起主要作用。
摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能就越強。
在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代
晶格中硅原子的位置，就形成 P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，
自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。