魏蘇淮

1981年，獲復旦大學物理學學士。

1985年，獲美國威廉瑪麗學院理學博士學位。

1985年至2015年，在美國太陽能研究所（SERI，現為美國國家可再生能源實驗室NREL）先後歷任博士后、科學家、資深科學家、首席科學家、理論研究室主任、國家實驗室Fellow。

1999年，獲選美國物理學會會士（FellowoftheAmericanPhysicalSociety）。

2014年，獲選美國材料學會會士（FellowoftheMaterialsResearchSociety）。

現任北京計算科學研究中心教授，材料能源研究部主任。

2021年8月1日，入選2021年中國科學院院士增選初步候選人名單。

魏蘇淮教授主要從事半導體物理的理論研究，是計算半導體缺陷和半導體摻雜方面的知名專家。在半導體能帶計算、摻雜機制、d和f電子在II-IV簇半導體的效應、自旋電子系統、半導體帶階和壓力效應、以及半導體納米團簇等領域中做了大量原創性的工作。發展了全電子FLAPW計算程序、無序合金和半導體缺陷的精確計算模型和方法；提出了半導體在平衡態下存在摻雜極限的機理和克服摻雜極限的方法；對一系列光電材料包括太陽能材料的性質做了系統的理論解釋。至2020年已發表論文500多篇，其中70多篇發表在《物理評論快報》（PhysicalReviewLetters）上，被引用次數大於60000次，H因子>120。