超導薄膜

超導薄膜除幾何尺寸與塊狀超導體不同外，其結構和超導性質也有較大差別。對於塊狀超導體，磁場穿透層很薄，可以忽略不計，具有完全的抗磁性。但是超導薄膜的磁場穿透層與薄膜相比，就不能忽略不計。此外，當超導薄膜厚度很小時（小於10納米），它的超導臨界轉變溫度將下降。

已實用的超導薄膜分為低溫和高溫兩類。低溫超導薄膜是製造電子器件的主要薄膜材料。與高溫超導薄膜相比，其均勻性、一致性以及隧道結製備和集成電路工藝方面具有優勢；在液氦溫區由於熱雜訊低，故低溫超導薄膜製成的電子器件靈敏度高，是高溫超導薄膜器件所不及。低溫超導薄膜又分為低熔點超導薄膜，如Pb、In、Sn、Al等低熔點金屬及其合金薄膜；高熔點超導薄膜，主要是難熔金屬及其合金薄膜，已應用的是Nb超導薄膜；化合物超導薄膜，具有實用價植的是NbN和Nb3Sn、Nb3Ge薄膜。高溫超導薄膜在液氮溫度下工作，已研究並有實用價值的有釔系薄膜、鉍系薄膜和鉈系薄膜。鉈系氧化物是超導臨界溫度最高的超導體，達125K。高溫超導薄膜的質量和性能均已達到相當高的水準，利用高溫超導薄膜製成的超導量子干涉器和微波器件等，其性能均達到實用要求。