tddb

與時間相關電介質擊穿 TDDB（time dependent dielectric breakdown ），又叫經時擊穿。

在柵極上加恆定的電壓，使器件處於積累狀態。這就是一般所說的TDDB（time dependent dielectric breakdown ）。經過一段時間后，氧化膜就會擊穿，這期間經歷的時間就是在該條件下的壽命。

• 電流、電壓突然增加，或電流雜訊增加；

• 器件還可以正常工作；

• 通常的擊穿模式 (Tox < 5nm)應力電壓比較低；

• 更適用於實際深亞微米器件工作條件。

• 大電流釋放的能量引起柵氧化層的破裂;

• 器件無法正常工作。

SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE CHARACTERIZATION，DIETER K. SCHRODER; Arizona State University ,Tempe, AZ.