晶體管圖示儀

此旋鈕開關是一個具有4種偏轉作用共17擋的旋鈕開關，用來選擇圖示儀x軸所代表的變數及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置VCE的有關擋。測量輸入特性曲線時，該旋鈕置VBE的有關擋。

此旋鈕開關是一個具有4種偏轉作用共22擋的旋鈕開關，用來選擇圖示儀Y軸所代表的變數及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置Ic的有關擋。測量輸入特性時，該旋鈕置“基極電流或基極源電壓”擋(儀器面板上畫有階梯波形的一擋)。

3.“峰值電壓範圍”開關和“峰值電壓%”旋鈕

“峰值電壓範圍’’是5個擋位的按鍵開關。“峰值電壓%”是連續可調的旋鈕。它們的共同作用是用來控制“集電極掃描電壓”的大小。不管“峰值電壓範圍”置於哪一擋，都必須在開始時將“峰值電壓%”置於0位，然後逐漸小心地增大到一定值。否則容易損壞被測管。一個管子測試完畢后，“峰值電壓%”旋鈕應回調至零。

“功耗限制電阻”相當於晶體管放大器中的集電極電阻，它串聯在被測晶體管的集電極與集電極掃描電壓源之間，用來調節流過晶體管的電流，從而限制被測管的功耗。測試功率管時，一般選該電阻值為1kΩ。

此旋鈕給基極加上周期性變化的電流信號。每兩級階梯信號之間的差值大小由“階梯選擇毫安/級”來選擇。為方便起見，一般選10μA。每個周期中階梯信號的階梯數由“級族”來選擇，階梯信號每簇的級數，實際上就是在圖示儀上所能顯示的輸出特性曲線的根數。階梯信號每一級的毫安值的大小，就反映了圖示儀上所顯示的輸出特性曲線的疏密程度。

此開關是對被測晶體管基極狀態進行設置的開關。當測量管子的擊穿電壓和穿透電流時，都需要使被測管的基極處於開路狀態。這時可以將該開關設置在“零電流”擋(只有開路時，才能保證電流為零)。當測量晶體管的擊穿電流時，需要使被測管的基、射極短路，這時可以通過將該開關設置在“零電壓”擋來實現。

熒光屏的刻度可以直接觀測半導體管的共集電極，共基板和共發射極的輸入特性，輸出特徵，轉換特徵，β參數以及α參數等，並可根據需要，測量半導體管的其他各項極限特性與擊穿特性參數，如反向飽和電流Icbo,Iceo和各種擊穿電壓BVceo、BVcbo、BVebo等。

可以從示波管的熒光屏上自動顯示同一隻半導體管的四種h參數，也可以同時進行二隻半導體管的四種h參數自動比較或任選的兩種h參數自動比較。

Y軸

集電極電流範圍：1μA-200mA/div ，按1、2、5順序分17檔，誤差≤±3%

漏電流範圍:10nA-500nA/div,按1、2、5順序分6檔，誤差≤±10%

基極源電壓：0.01V-1V/div，按1、2、5順序分7檔，誤差≤±3%

X軸

集電極電壓範圍：0.01V-50V/div ，按1、2、5順序分12檔，誤差≤±3%

基極電流或基極源電壓：0.1V/div ，誤差≤±3%

階梯信號

階梯電流範圍：0.1μA/級-20mA/級，按1、2、5順序分17檔，誤差≤±5%

階梯電壓範圍：0.01V/級-1V/級，按1、2、5順序分7檔，誤差≤±5%

階梯極性：正、負兩檔，由測試盒NPN,PNP轉換開關實現

串聯電阻：0-300KΩ,按1,3順序分為11檔，誤差≤±5%

每秒級數：200

階梯輸入：正常、零電壓、零電流三檔

集電極掃描信號

峰值電壓及電流容量：0-50V 2A(峰值) 0-500V 0.2A(峰值)

功耗限制電阻：0-500KΩ ,按1、2、5順序分19檔，誤差≤±5%

校準電壓：可進行—10div校準，分—0.1V、—0.2V、—0.5V、—1V四檔

電源：220V±10% 50Hz±5%

功率消耗：約45VA(最大時約92VA)

預熱時間：15min