北京大學微電子學研究院
北京大學微電子學研究院
北京大學微電子學研究院（Instisute of Microelectronics Peking University）隸屬於我國頂尖學府——北京大學，是我國高水平微電子科學技術研究基地和微電子人才培養基地，長期得到國家的大力支持和重點扶持，科技實力雄厚，人才濟濟，擁有著名的微電子學家王陽元院士等多名學科帶頭人；人才培養體系完備，科學研究設施先進，擁有三個國家或部門重點實驗室，實驗設備總資產超過1億元，實驗室水平在許多方面與國際水平同步。
“把世界都集成在晶元上”這是北京大學微電子學研究院的目標。
北京大學微電子學研究院（Instisute of Microelectronics Peking University）是我國高水平微電子科學技術研究基地和微電子人才培養基地，長期得到國家的大力支持和重點扶持，科技實力雄厚，人才濟濟，擁有著名的微電子學家王陽元院士等多名學科帶頭人；人才培養體系完備，科學研究設施先進，擁有三個國家或部門重點實驗室，實驗設備總資產超過1億元，實驗室水平在許多方面與國際水平同步。
微電子學研究院下設三個研究所：ULSI科學與技術研究所（ULSI），集成系統晶元研究所（SOC），微機電系統研究所（MEMS）。科學研究在基礎研究、關鍵技術、應用開發三個層面上展開，已經取得了一系列具有國際先進水平的科研成果。
ULSI新結構器件；射頻SOI器件；寬禁帶半導體材料與器件；MOS器件可靠性物理及應用；嵌入式微處理器；信息安全晶元；多目標晶元；硅基MEMS加工與設計技術；MEMS器件；MEMS封裝與測試技術。
北京大學微電子學研究院共有教職員工92人，其中中科院院士1人，教授16人、研究員2人、教授級高工3人，副教授17人，高工9人，中級職稱者22人，初級職稱者2人。
“十五”期間，共發表論文近800篇，其中被SCI錄用191篇，被EI錄用332篇；共申請專利108項，有27項已獲專利授權。
“硅基MEMS技術及應用研究”獲國家發明二等獎和北京市科技進步一等獎；
“小尺寸MOS器件可靠性及其應用技術研究”和“CMOS/SOI ASIC及深亞微米器件電路研究”均獲科技部、財政部、國家計委、國家經貿委“九五”國家重點科技攻關計劃優秀科技成果；
“新型抗輻照CMOS/SOI集成電路技術研究”獲信息產業部科技進步二等獎；
“用於集成電路晶元檢測與分析的比例差值算符及其應用技術”獲教育部科技進步二等獎。
