周興泰
周興泰
周徠興泰，江西省撫州市臨川區人，1966年2月出生，研究生學歷，理學博士，研究員，博士生導師。上海光源X射線衍射線站負責人、核分析研究室材料組負責人。
國家人力資源和社會保障部高層次留學回國人才（2009）
中國科學院“百人計劃”榮譽稱號（2008）
香港城市大學卓越研究學位論文獎（2002/2003）
徠中國科學院自然科學二等獎（1996）
周興泰，江西省撫州市臨川區人，1966年2月出生，研究生學歷，理學博士，研究員，博士生導師。上海光源X射線衍射線站負責人、核分析研究室材料組負責人。
2008.5至今 中國科學院上海應用物理研究所研究員；
2007.5-2008.4 韓國浦項工科大學（Pohang University of Science and Technology）化學系研究助理教授；
2003.5-2007.4 加拿大西安大略大學（The University of Western Ontario）化學系博士后；
1991.7-1998.5 中國科學院瀋陽金屬研究所助理研究員。
1. 發展了一種雙偏壓熱絲增強成核的工藝，並進一步使用該工藝製備了納米金剛石薄膜；在對樣品的高分辨電鏡觀察的基礎上，提出了金剛石晶核的在能量粒子轟擊條件下的成核、生長模型。
2. 採用熱絲 CVD 和熱蒸發工藝製備出 SiC、GaN 和 Si 等一維納米線，並對它們的結構、性能（場致發射、發光和化學敏感性等）進行了表徵。
3. 運用x射線吸收譜和x射線發射譜研究了納米立方氮化硼薄膜中晶體的擇優取向、薄膜表面及薄膜-基體間界面的結構，其中首先運用以熒光x射線信號記錄的x射線吸收譜研究了薄膜-基體間界面的結構，並進一步探討了各種立方氮化硼薄膜的成核、生長模型。
4. 運用同步輻射x射線激發發光技術，結合x射線吸收譜，研究了CVD 金剛石薄膜的發光起源和SnO2、Ga2O3等一維納米線的發光機理。
已在國國際著名學術刊物（包括science, JACS, Anal. Chem., APL, PRB等）上已發表學術論文50多篇，論文被他人SCI引用1000多篇次。
A nucleation site and mechanism leading to epitaxial growth of diamond films
The mechanism of diamond nucleation from energetic species
Cubic phase content and structure of BN films from an x-ray absorption study
X-ray excited optical luminescence from diamond thin films: the contribution of sp2- and H-bonded carbon to the luminescence
Origin of luminescence from Ga2O3 nanostructures using x-ray absorption and luminescence spectroscopy
浦江人才（2010）
國家人力資源和社會保障部高層次留學回國人才（2009）
中國科學院“百人計劃”榮譽稱號（2008）
香港城市大學卓越研究學位論文獎（2002/2003）
中國科學院自然科學二等獎（1996）