李同
中國科學院蘇州納米所研究員
李同，1983年畢業於上海機械學院精密儀器工程系，獲工學學士學位；1993年畢業於美國威恩大學（Wayne State University）電子與計算機工程系，獲電子工程學碩士學位（專業方向為光學計算機技術）；1999年畢業於美國密西根大學（The University of Michigan, Ann Arbor）電子工程與計算機科學系，獲電子工程學博士學位（研究方向為應用於液晶顯示器的薄膜晶體管（TFT）的先進位造技術）。1983年月至1990年8月供職於陝西省計量測試研究所任助理工程師、工程師；1999年6月至2000年9月供職於美國球面半導體公司（Ball Semiconductor Inc.）任高級器件工程師及研發項目經理；2000年10月至2003年10月供職於美國Chorum技術公司任高級工藝工程師；2004年4月創辦寧波思達利光電科技有限公司，任董事長、首席執行官。
1.發展出一套獨特的薄膜微結構精確測量技術，使半導體領域中對薄膜結構分析的精度得到極大地提高；
2.發現了氫化無定形氮化硅（a-SiNx:H）薄膜中偏振相關縱向振動模（longitudinal vibration mode）結構；
3.發展了薄膜晶體管（TFT）製造中的等離子體輔助化學氣相沉積（PECVD）快速成膜技術；
4.總結出氫原子在氫化無定形氮化硅薄膜中的熱穩定性；
5.總結出氫化無定形氮化硅薄膜厚度對Top-Gate結構的TFT器件的電子特性的影響；
6.製做出高能量飽和吸收式鎖模脈衝摻鉺光纖激光器；
7.在直徑1毫米的單晶硅球面設計、製作了全球首個3維CMOS-Inverter；
8.發展了MEMs器件製作工藝中的激光打孔技術、及氣相腐蝕工藝；
9.首創定向固態液晶結構及相關器件；
10.發明了用於TFT-LCD的新型彩色濾光片。
曾多次主持、參與包括美國國防部高級研究計劃局（DARPA）、美國空軍科學研究部（AFOSR）、國家科技型中小企業創新基金等等在內的多個科技項目。在國際著名期刊發表論文數十篇；已獲、申請國內外發明專利二十餘項。