相變存儲器

書 名: 相變存儲器

作　者：宋志棠

出版社：科學出版社

出版時間： 2010-2-1

ISBN: 9787030267405

開本： 16開

定價: 49.00元

本書依託國家“863”、“973”等項目，圍繞PCRAM研發所涉及的基礎科學與關鍵技術問題，對PCRAM的基本原理、PCRAM所用的材料體系、新型相變材料的理論與方法、PCRAM的關鍵單項工藝與集成工藝、器件單元結構改進、PCRAM所涉及的器件結構與晶元模擬、測試、晶元設計與製造等方面進行了較為詳細的階段性工作總結。

本書適合材料、微電子等相關專業的研究生、科技人員和教學人員使用。

前言

第1章 緒論

第2章 Ge2Sb2Te5相變材料及其改性

第3章 新型相變材料

第4章 相變存儲單元製備及關鍵工藝

第5章 相變存儲器模擬

第6章 新結構相變存儲單元

第7章 相變存儲器測試

第8章 相變存儲器設計與製造