荷電

對於導電性能不好的樣品如半導體材料，絕緣體薄膜，在電子束的作用下，其表面會產生一定的負電荷積累，這就是俄歇電子能譜中的荷電效應。樣品表面荷電相當於給表面自由的俄歇電子增加了一定的額外電壓, 使得測得的俄歇動能比正常的要高。在俄歇電子能譜中，由於電子束的束流密度很高，樣品荷電是一個很嚴重的問題。有些導電性不好的樣品，經常因為荷電嚴重而不能獲得俄歇譜。但由於高能電子的穿透能力以及樣品表面二次電子的發射作用，對於一般在100nm厚度以下的絕緣體薄膜，如果基體材料能導電的話，其荷電效應幾乎可以自身消除。因此，對於一般的薄膜樣品，一般不用考慮其荷電效應.