曹則賢

1997－1998，在德國IFOS研究所進行博士后工作。

1998年入選中科院“百人計劃”。

現任中國科學院物理所研究員，博士生導師，課題組長。

研究方向

薄膜的生長與機理；新材料探索；表面的電子能譜掃描探針譜分析；固體表面的原子過程與修飾；納米結構發光與器件；脈衝電子束薄膜沉積技術，微結構與量子力學。

目前從事複合納米硅體系的發光；寬禁帶化合物半導體設計；SiC外延薄膜生長；貴金屬氮化物熱穩定性設計與合成；應力驅動微結構的自組織；微重力現象等。

主要成果

首次給出離子轟擊誘導深度輪廓的演化方程，發展了一套俄歇譜濺射深度輪廓技術。

系統研究了（等）離子束輔助生長參數對輕元素化合物薄膜生長過程和性質的影響，在寬禁帶半導體材料如SiCN，AlCN，BCN的設計方面獲得一批成果。

率先實現了納米硅複合薄膜體系的可見光全譜發光，目前已把納米硅顆粒的尺寸和密度都推至物理極限，最小波長為428nm，外量子效率超過3%，衰減時間小於納秒。

自行設計研製了多功能UHV鍍膜系統，電子迴旋共振波等離子體薄膜生長系統和脈衝電子束薄膜沉積系統。利用曲面上應力驅動自組織首次在微觀世界里實現Fibonacci Spiral Patterns，並實現了手性的控制。在貴金屬氮化物薄膜中首次發現微米級五次對稱的浮雕式形貌，並獲得了在200K溫區內為零的電阻溫度係數。

學術論著

在PRL，APL，PNAS，Science等國際重要雜誌上撰寫研究論文60餘篇。另撰寫中文物理學教育/隨感50多篇，英文專著章節2個。現在在《物理》雜誌開設“物理學咬文嚼字”專欄。開設過系列講座“經典力學－從思想起源到現代進展”和“一個初學者關於量子力學的思考”。

《物理》雜誌專欄撰稿人，科技部“973”納米材料項目首席科學家，英國物理學會亞太網科學顧問，中國科技大學物理系等校兼職教授。