熱缺陷

晶熱缺陷形態，肖脫基()缺陷，另弗侖()缺陷。

熱運，晶陽離子及陰離子脫離平衡位置，跑到晶體表面或晶界位置上，構成一層新的界面，而產生陽離子空位及陰離子空位，不過，這些陽離子空位與陰離子空位是符合晶體化學計量比的。如：MgO晶體中，形成Mg2+和O2-空位數相等。而在TiO2中，每形成一個Ti4+離子空位，就形成兩個O2-離子空位。肖脫基缺陷實際產生過程是：由於靠近表面層的離子熱運動到新的晶面后產生空位，然後，內部鄰近的離子再進入這個空位，這樣逐步進行而造成缺陷。

弗侖缺陷形程：離脫離衡置擠晶隙置，形謂隙（稱填隙）離，置形陽離陰離空。缺陷隙離空。弗侖缺陷除溫，晶構系，若晶隙置較，則易形弗侖缺陷。AgBr比NaCl易形成這種缺陷。

1、熱力學方法計算熱缺陷濃度

單質肖特基缺陷的平衡濃度，N>>n

n/N=exp（-△Gs/kT）

△Gs——形成一個肖特基缺陷時系統自由焓的變化

k——玻爾茲曼常數

MX型晶體肖特基缺陷平衡濃度，N>>n

n/N=exp（-△Gs/2kT）

弗倫克爾缺陷平衡濃度，N>>n

n/N=exp（-△Gf/2kT）

△Gf——形成一個弗倫克爾缺陷的自由焓變化

1、化學平衡方法計算熱缺陷濃度

MX2型晶體肖特基缺陷濃度（以GaF2為例）

[Vca'']=[exp(-△G/3kT)]/[4^(3/2)]

R——氣體常數

△G——形成1mol肖特基缺陷的自由焓變化

弗倫克爾缺陷濃度計算（以AgBr為例）

[Agi`]=[Vag']=exp（-△G/2kT）

△G——形成1mol弗倫克爾缺陷的自由焓變化