朱慧

2003年畢業於中國礦業大學（北京）材料科學與工程系，獲得學士學位。同年赴英國劍橋大學學習，2004年畢業於材料與冶金系，獲得碩士學位，2010年畢業於工程系，獲得電子工程專業博士學位。2011年至今在北京工業大學電子信息與控制工程學院工作。主要研究方向：鐵電薄膜及鐵電隨機存儲器，微電子器件可靠性物理。科研項目： GaN HEMT中的殘餘應力以及應力對器件性能的影響，北京市自然科學基金項目負責人；星載高熱流組件散熱分析及可靠性影響分析，總裝備部項目子項目參與人。

代表性科研論文：

H. Zhu, and D. P. Chu, A study of capacitance voltage characteristics of lead zirconate titanate ferroelectric thin films and their usage to investigate polarization and coercive field, J. Phys.: Condens. Matt. 23, 495901 (2011).

H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, S. E. Rowley, and S. S. Saxena, Polarization change in ferroelectric thin film capacitors under external stress, J. Appl. Phys. 105, 061609 (2009).

H. Zhu, D. P. Chu, N. A. Fleck, I, Pane, J. E. Huber, E. Natori, Polarization change of PZTN ferroelectric thin films under uniform in-plane tensile stress, Integr. Ferroelectr. 95, 117-127 (2007).