多晶矽片
多晶矽片
e-silicon sion Diameter:219.2±0.5mm
目錄
英文名稱polycrystalline-silicon-solar-cells
性能參數
Dimension:156×156±0.5mm
thickness:200±20um/240±20um
Diameter:219.2±0.5mm
Conductivity:PType(BoronDoped)
Resistivity:0.5~2Ω·cm
MinorityCarrierLifetime:≥2us
中國多晶硅工業的發展
中國多晶硅工業起步於20世紀50年代,60年代中期實現了產業化,到70年代,生產廠家曾經發展到20多家。但由於工藝技術落後,消耗大,成本高等原因,絕大部分企業虧損而相繼停產或轉產。進入21世紀以來,強大的需求和豐厚的利潤刺激著多晶硅產業的迅速膨脹。多晶硅現貨價7年內上漲了10倍,高峰時利潤率超過800%。截至08年12月,已有超過10家上市公司投資多晶硅項目,已公告的投資額近60億元,總投資額高達300多億元。2009年新春伊始,有兩件事情令多晶硅-光伏產業振奮。首先是《能源法》已經提交到國務院法制辦,這將直接影響“十二五”期間國家能源政策的整體規劃。隨後,無錫尚德、賽維LDK、常州天合、林洋新能源、CSI阿特斯、南京冠亞等在內的太陽能電池生產巨頭們已將“1元/度”光伏發電成本的方案上交給科技部。這標誌著光伏發電入網已經不再那麼遙遠,這兩大利好無疑給予多晶硅-光伏企業一劑興奮劑。2009年1月,國家發改委已正式批複,同意在洛陽中硅建設多晶硅材料製備技術國家工程實驗室,並安排1500萬元國家投資補助資金,這表明海外對中國高純多晶硅產業的技術壁壘正在被一一打破,對緩解中國多晶硅需求主要依賴進口現狀、促進光伏產品成本降低都具有標誌性意義。