國家存儲器基地
國家存儲器基地
國家存儲器基地位於武漢光谷。存儲器晶元市場是全球壟斷最為嚴重的晶元細分市場，DRAM和NANDFLASH晶元市場長期被韓國美日壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共佔據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國於2013年發布了自主研發的55納米相變存儲晶元，成為繼美國和韓國后，全球第三個掌握相變存儲技術的國家。
2017年1月1日，總投資240億美元的“國家存儲器基地”項目在武漢東湖高新區正式開工。
2020年6月20日，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區未來科技城國家存儲器基地建設工地開工建設。
“國家存儲器基地”項目由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以晶元製造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體，建成后，還將帶動設計、封裝、製造、應用等晶元產業相關環節的發展。
“國家存儲器基地”項目位於武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建築，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
晶元國產化是中國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一，作為信息技術的基礎產業，半導體集成電路持續受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產業的基礎產品之一，產品的成熟度和產業的規模效應均較為顯著，國家存儲器基地的建立，標誌著晶元國產化之路邁出可靠而重要的一步。
基本信息
- 地點
- 武漢光谷
- 投資額
- 240億美元
- 啟動日期
- 2016年3月28日