IR的HEXFET功率場效應管irf3205採用先進的工藝技術製造，具有極低的導通阻抗。irf3205這種特性，加上快速的轉換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設計，使得irf3205成為極其高效可靠、應用範圍超廣的器件。
基本參數:
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:55V
電流, Id 連續:110A
Qg Typ： 97.3 nC
FET極性: N型溝道
先進的工藝技術、貼片安裝、低端通孔安裝、超低導通阻抗、動態dv/dt率、175℃工作溫度、快速轉換速率、無鉛環保。
