王鋼

男，1968年11月生。現任中山大學物理科學與工程技術學院教授，博士生導師。

1991年8月畢業於吉林大學電子科學系半導體物理與器件專業，取得工學學士學位。畢業后就職於中韓合資大連元光電子有限公司（中國大連開發區），主要負責半導體發光二極體（LED）的研發與生產線改造工作。

1994年4月自費去日本國立名古屋工業大學留學，就讀於該校電氣情報工學專業（E.E），師從神保孝志教授，並於1998年3月取得工學碩士學位，2001年3月取得工學博士學位。這期間主要從事與GaAs基，GaN基等III-V族化合物半導體材料的MOCVD生長與相關光電子器件的製作方面的研究。在攻讀博士學位期間，還曾經被聘為研究助手（RA）和教學助手（TA）對本科生及碩士生的畢業研究進行了指導。

2001年4月至2004年4月，就職於(株)富士通量子器件公司（日本 甲府），這是一家世界最大規模的化合物半導體生產製造廠家。這期間主要從事於10Gp/s，40Gp/s超高速光通訊系統用InP基光電探測器的晶元與模塊設計，量產方面的研發工作。

2004年5月至今，本人作為中山大學“百人計劃”2類人才，受聘於中山大學光電材料與技術國家重點實驗室，從事光電化合物半導體材料製作及相關元器件機理方面的研究，教學工作。

光學工程學科，研究方向：光電化合物半導體材料與器件製備技術。包括：

應用於10/40Gbps光通訊系統的超高速半導體光電探測器件研究；

應用於THz發射和探測的新型固態納電子器件研究；

應用於固態照明的大功率白光LED封裝及其晶元製備技術研究；

III-V族化合物半導體材料MOCVD外延生長技術研究等。

中山大學（理科）學術委員會 委員

光信息科學與技術專業課程體系負責人

中山大學光電材料與技術國家重點實驗室 主任助理

中山大學半導體照明系統研究中心 主任

中山大學“百人計劃”二層次引進人才科研啟動項目；

中山大學校級重點項目；

廣東省科技計劃項目；

廣東省自然科學基金項目；

廣州市科技計劃項目；

佛山市禪城區產學研合作項目等。

1.G. Yu, G. Wang, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Soga, T. Egawa, J. Watanabe and T. Jimbo: “Optical properties of wurtzite structure GaN on sapphire around fundamental absorption edge (0.78 – 4.77 eV) by spectroscopic ellipsometry and the optical transmission method”, Appl. Phys. Lett. , 70, 3209 - 3211 (1997).

2.G. Wang, G. Y. Zhao, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Effects of H plasma passivation on the optical and electrical properties of GaAs-on-Si”, Jpn. J. Appl. Phys., 37, L1280 – L1282 (1998).

3.G. Wang, M. Kawai, K. Ohtsuka, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “H plasma passivation of MOCVD grown GaAs-on-Si for high efficiency solar cells”, Proceedings of the 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, (Vienna, Austria, 1998) European Commission, 3733 – 3736, (1999).

4.G. Wang, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “A novel hydrogen passivation method for GaAs on Si grown by MOCVD”, COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998, INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 162, 597-602 (1999).

5.G. Wang, K. Ohtsuka, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Hydrogen plasma passivation and improvement of the photovoltaic properties of a GaAs solar cell grown on Si substrate”, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 3504 – 3505 (1999).

6.G. Wang, T. Ogawa, K. Ohtsuka, G. Y. Zhao, T. Soga T. Jimbo and M. Umeno: “Photoluminescence studies of hydrogen-passivated Al0.13Ga0.87As grown on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition”, Jpn. J. Appl. Phys., 38, L796 – L798 (1999).

7.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Surface and bulk passivation of GaAs solar cell on Si substrate by H2+PH3 plasma”, Appl. Phys. Lett., 76, 730 – 732 (2000).

8.T. Soga, G. Wang, K. Ohtsuka, T. Jimbo and M. Umeno: “Hydrogen plasma passivation for GaAs solar cell on Si substrate”, J. Appl. Phys., 87, 2285 – 2288 (2000).

9.G. Wang, K. Otsuka, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “A detailed study of H plasma passivation effect on GaAs-on-Si solar cell”, Solar Energy Material and Solar Cell, 66, 599 – 605 (2001).

10.K. Akahori, G. Wang, K. Okumura, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Improvement of the MOCVD-grown InGaP on Si substrate towards high efficiency solar cell”, Solar Energy Material and Solar Cell, 66, 593 – 598 (2001).

11.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “Hydrogenation of GaAs-on-Si Schottky diodes by PH3-added plasma”, Appl. Sur. Sci., 159/160, 191 – 196 (2000).

12.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “PH3/H2 plasma passivation of metalorganic chemical vapor deposition grown GaAs on Si”, J. Appl. Phys., 88, 3689 – 3694 (2000).

13.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Surface and bulk passivation of defects in GaAs/Si by RF plasma-assisted MOCVD”, J. Cryst. Growth, 221, 172 -176 (2000).

14.G. Wang, T. Soga, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “Enhanced spontaneous emission in hydrogen-plasma-passivated AlGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser structures grown on Si substrate”, Electron. Lett., 36, 1462 – 1464, (2000).

15.G. Wang, T. Ogawa, F. Kunimasa, M. Umeno T. Soga, T. Jimbo and T. Egawa: “Hydrogen plasma passivation of bulk GaAs and Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple-quantum-well structures on Si substrates”, J. Electron. Mater., 30, 845 – 849 (2001).

16.T. Ogawa, G. Wang, K. Murase, K. Hori, J. Arokiaraj, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Phosphine-added hydrogen plasma passivation of GaAs solar cell on Si substrate”, IEEE Record of the Twenty-eighth Photovoltaic Specialist Conference, 1308 – 1311 (2000).

17.G. Wang, K. Akahori, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno:: “Investigation of electrical and optical properties of phosphine/hydrogen plasma exposed In0.49Ga0.51P grown on Si substrate”, Jpn. J. Appl. Phys., 40, L189 – 191 (2001).

18.G. Wang, T. Ogawa, K. Murase, K. Hori, T. Soga, B. J. Zhang, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “Passivation of bulk and surface defects in GaAs grown on Si substrate by radio frequency phosphine/hydrogen plasma exposure”, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 4781 – 4784 (2001).

19.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Passivaton of dislocations in GaAs grown on Si substrates by phosphine (PH3) plasma exposure”, Appl. Phys. Lett., 78, 3463 – 3465 (2001).

20.G. Wang, T. Tokumitsu, I. Hanawa, K. Sato and M. Kobayashi: “Analysis of high speed P-I-N photodiodes S-parameters by a novel small-signal equivalent circuit model”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 12, 378 – 380 (2002).

21.G. Wang, T. Tokumitsu, I. Hanawa, Y. Yoneda, K. Sato and M. Kobayashi: “A time-delay equivalent circuit model of ultra-fast P-I-N photodiodes”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 51, 1227 - 1233 (2003).

22.G. Wang, M. Takechi, K. Araki, T. Tokumitsu, I. Hanawa, Y. Yoneda, K. Sato and M. Kobayashi: “Wide bandwidth, high performance waveguide-integrated P-I-N photodiodes for 40 Gbits/s receiver modules”, 2003 IEEE MTT-S Digest, 151 – 154 (2003).

23.G. Wang, I. Hanawa, H. Aono, Y. Yoneda, T. Fujii, K. Sato and M. Kobayashi: “Highly reliable high performance waveguide-integrated InP/InGaAs pin photodiodes for 40 Gbit/s fiber-optical communication application”, Electron. Lett., 39, 1147 – 1149 (2003).

1、《電子器件》（邵春林，王鋼 共譯）科學出版社 2001年3月第一版發行．

2、《GaAs場效應晶體管基礎》（王鋼 譯）中國石化出版社 2005年8月第一版發行．

1、「半導體受光裝置」王鋼、米田昌博　特願2002-274304（2002年9月20日提出）．

2、「半導體受光裝置」王鋼、米田昌博　特願2002-274305（2002年9月20日提出）．

株）富士通量子器件公司年度最佳論文獎（2003）