DDR4

新一代的內存規格

DDR4內存是新一代的內存規格,2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內存。

DDR4相比DDR3最大的區別有三點:16bit預取機制(DDR3為8bit),同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規範,數據可靠性進一步提升;工作電壓降為1.2V,更節能。

第一款樣品


DDR4內存
DDR4內存
三星電子2011年1月4日宣布,已經完成了歷史上第一款DDR4DRAM規格內存條的開發,並採用30nm級工藝製造了首批樣品。

數據規格


DDR4內存的標準規範仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM類型,容量為2GB,運行電壓只有1.2V,工作頻率為2133MHz,而且憑藉新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下,DDR3內存的標準頻率最高僅為1600MHz,運行電壓一般為1.5V,節能版也有1.35V。僅此一點,DDR4內存就可以節能最多40%。
根據此前的規劃,DDR4內存頻率最高有可能高達4266MHz,電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示,這條DDR4內存使用了曾出現在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開漏極)技術,在讀取、寫入數據的時候漏電率只有DDR3內存的一半。
三星稱,2010年12月底已經向一家控制器製造商提供了這種DDR4內存條的樣品進行測試,並計劃與多家內存廠商密切合作,幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標準規範的制定工作,預計2012年開始投入商用。