何力

1988年5月到中國科學院上海技術物理研究所做博士后研究，1990年11月出站留所工作，主要從事Ⅱ—Ⅵ族及其含Hg化合物的分子束外延高技術課題研究工作。他理論基礎紮實、工作能力強，在碲鎘汞分子束外延薄膜材料研究中取得了突破性成果。1982—1988年、1990—1994年，何力同志分別在日本、德國以有美國從事了10年半導體材料器件的研究工作，是德國洪堡基金會研究員。

1994年起，何力研究工作主要集中在新型紅外探測器複雜結構材料的設計、實現工藝和性能評價，特別是第三代紅外成像探測器技術相關的基礎理論研究、基礎材料和晶元加工技術研究等方面的研究工作。

何力同志主要從事化合物半導體薄膜材料的製備及其材料性質的評價、分子束外延技術、半導體超晶格量子阱等多層結構、化合物半導體界面性質、半導體激光器以及發光器件、光電子探測器等的研究工作。

何力同志回國以後，參加、合作主持了國家“863”高技術計劃的研究工作。主持國家傑出青年科學研究基金、上海市科學研究基金以及中國科學院院長基金的有關Ⅱ—Ⅵ族半導體薄膜材料的項目研究。在國家“九五”計劃中，主持國家半導體光電子薄膜材料的重點研究項目。他以及合作者通過一系列科技創新，在短期內使我國Ⅱ—Ⅵ族半導體薄膜材料水平迅速獲得提高，在國內首次製備出大面積、高性能、均勻的碲鎘汞薄膜材料，突破了過去材料製備工藝穩定性、材料參數的可重複性十分低下的難點，獲得了大於97%的長晶以及組合合格率，性能達到國際最好水平。材料的大面積均勻性、P型材料的電學參數優於國際近年報道的最好水平；材料生長可重複性指標以及位錯密度指標等為國標用同類襯底製備材料的先進水平。該成果通過了中國科學院以及國家“863”專家組的聯合鑒定，受到好評，該項目獲1997上海市科技進步一等獎。在藍綠激光器研究中解決了歐姆接觸關鍵技術，處於當時的國際領先地位，獲得了2項美國專利，得到國際同行的高度重視，被國際上幾乎所有Ⅱ—Ⅵ族激光器研製單位採用至今。他首次提出了利用GaAs同質外延技術抑制層錯缺陷、提高激光器壽命的方法，這些技術到目前為止仍然是藍綠激光研製的主要技術手段。

何力和合作者們對半導體材料、器件領域中的前沿課題和國家急需課題進行了大量的研究工作，在這些研究中取得了多項國際領先水平的重要結果。在國內外學術刊物、學術會議上發表論文110餘篇，獲美國專利1件。研究結果得到國際上的大量引用。根據1995年就其中12篇論文的國際聯機檢索結果，被引用達126次。他獲得了1994年國家首批傑出青年科學研究基金、中國科學院長特別基金、上海市優秀學科帶頭人資助計劃。

先後主持了國家傑出青年基金、國家八六三計劃、國家九七三、中科院創新工程以及航天工程類器件等多項科研項目。

1998年被科技部任命為國家“863”高技術計劃信息領域光電子技術主題專家組成員。

獲1997上海市科技進步一等獎

中國科學院長特別基金

上海市優秀學科帶頭人資助計劃